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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
An oxide sintered body which, when made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve low carrier density and high carrier mobility, and a sputtering target using said oxide sintered body are provided. This oxide sintered body contains indium, gallium and zinc as oxides. The gallium content, expressed as the atomic ratio Ga/(In+Ga), is 0.20-0.49, and the zinc content, expressed as the atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn), is 0.0001 or greater and less than 0.08. This amorphous oxide semiconductor thin film is formed with the oxide sintered body as a sputtering target, and can achieve a carrier density of 4.0×1018cm-3 or less and a carrier mobility of 10cm2/V*s or greater.
La présente invention concerne un corps fritté à base d'oxyde qui, lorsqu'il est façonné en un film mince semi-conducteur à base d'oxyde par pulvérisation, permet d'obtenir une faible densité de porteurs et une grande mobilité de porteurs, et une cible de pulvérisation utilisant ledit corps fritté à base d'oxyde. Ce corps fritté à base d'oxyde contient de l'indium, du gallium et du zinc sous la forme d'oxydes. La teneur en gallium, exprimée comme le rapport atomique Ga / (In + Ga), est comprise entre 0,20 et 0,49, et la teneur en zinc, exprimée comme le rapport atomique Zn / (In + Ga + Zn), est supérieure ou égale à 0,0001 et inférieure à 0,08. Ce film mince semi-conducteur à base d'oxyde amorphe est formé avec le corps fritté à base d'oxyde utilisé comme cible de pulvérisation, et permet d'obtenir une densité de porteurs inférieure ou égale à 4,0 × 1018cm-3 et une mobilité de porteurs supérieure ou égale à 10 cm2/V * s.
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４９以下であり亜鉛の含有量がＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）原子数比で０．０００１以上０．０８未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度４．０×１０１８ｃｍ－３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上が得られる。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
An oxide sintered body which, when made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve low carrier density and high carrier mobility, and a sputtering target using said oxide sintered body are provided. This oxide sintered body contains indium, gallium and zinc as oxides. The gallium content, expressed as the atomic ratio Ga/(In+Ga), is 0.20-0.49, and the zinc content, expressed as the atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn), is 0.0001 or greater and less than 0.08. This amorphous oxide semiconductor thin film is formed with the oxide sintered body as a sputtering target, and can achieve a carrier density of 4.0×1018cm-3 or less and a carrier mobility of 10cm2/V*s or greater.
La présente invention concerne un corps fritté à base d'oxyde qui, lorsqu'il est façonné en un film mince semi-conducteur à base d'oxyde par pulvérisation, permet d'obtenir une faible densité de porteurs et une grande mobilité de porteurs, et une cible de pulvérisation utilisant ledit corps fritté à base d'oxyde. Ce corps fritté à base d'oxyde contient de l'indium, du gallium et du zinc sous la forme d'oxydes. La teneur en gallium, exprimée comme le rapport atomique Ga / (In + Ga), est comprise entre 0,20 et 0,49, et la teneur en zinc, exprimée comme le rapport atomique Zn / (In + Ga + Zn), est supérieure ou égale à 0,0001 et inférieure à 0,08. Ce film mince semi-conducteur à base d'oxyde amorphe est formé avec le corps fritté à base d'oxyde utilisé comme cible de pulvérisation, et permet d'obtenir une densité de porteurs inférieure ou égale à 4,0 × 1018cm-3 et une mobilité de porteurs supérieure ou égale à 10 cm2/V * s.
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．２０以上０．４９以下であり亜鉛の含有量がＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）原子数比で０．０００１以上０．０８未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した非晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度４．０×１０１８ｃｍ－３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上が得られる。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDE, CIBLE DE PULVÉRISATION, ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'OXYDE OBTENU EN FAISANT APPEL À UNE CIBLE DE PULVÉRISATION
酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
NAKAYAMA TOKUYUKI (author) / NISHIMURA EIICHIRO (author) / MATSUMURA FUMIHIKO (author) / IWARA MASASHI (author)
2015-09-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2017
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