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OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
An oxide sintered body which, when made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve low carrier density and high carrier mobility, and a sputtering target using said oxide sintered body are provided. This oxide sintered body contains indium, gallium and zinc as oxides. The gallium content, expressed as the atomic ratio Ga/(In+Ga), is 0.08 or greater and less than 0.20, and the zinc content, expressed as the atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn), is 0.0001 or greater and less than 0.08. This crystalline oxide semiconductor thin film is formed with the oxide sintered body as a sputtering target, and can achieve a carrier density of 8.0×1017cm-3 or less and a carrier mobility of 10cm2/V*s or greater.
Cette invention concerne un corps fritté à base d'oxydes qui, lorsqu'il est converti en un film mince semi-conducteur à base d'oxydes par pulvérisation cathodique, permet d'obtenir une faible densité de porteurs de charge et une mobilité élevée desdits porteurs de charge ; et une cible de pulvérisation cathodique utilisant ledit corps fritté à base d'oxydes. Le corps fritté à base d'oxydes selon l'invention contient de l'indium, du gallium et du zinc à titre d'oxydes. Sa teneur en gallium, exprimée en rapport atomique Ga/(In + Ga), est de 0,08 ou plus et inférieure à 0,20, et sa teneur en zinc, exprimée en rapport atomique Zn/(In + Ga + Zn), est de 0,0001 ou plus et inférieure à 0,08. Le film mince semi-conducteur cristallin à base d'oxydes selon l'invention est formé en utilisant le corps fritté à base d'oxydes à titre de cible de pulvérisation cathodique, et permet d'obtenir une densité de porteurs de charge de 8,0×1017 cm-3 ou moins et une mobilité desdits porteurs de charge de 10 cm2/V*s ou plus.
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．０８以上０．２０未満であり亜鉛の含有量がＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）原子数比で０．０００１以上０．０８未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度８．０×１０１７ｃｍ－３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上が得られる。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
An oxide sintered body which, when made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve low carrier density and high carrier mobility, and a sputtering target using said oxide sintered body are provided. This oxide sintered body contains indium, gallium and zinc as oxides. The gallium content, expressed as the atomic ratio Ga/(In+Ga), is 0.08 or greater and less than 0.20, and the zinc content, expressed as the atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn), is 0.0001 or greater and less than 0.08. This crystalline oxide semiconductor thin film is formed with the oxide sintered body as a sputtering target, and can achieve a carrier density of 8.0×1017cm-3 or less and a carrier mobility of 10cm2/V*s or greater.
Cette invention concerne un corps fritté à base d'oxydes qui, lorsqu'il est converti en un film mince semi-conducteur à base d'oxydes par pulvérisation cathodique, permet d'obtenir une faible densité de porteurs de charge et une mobilité élevée desdits porteurs de charge ; et une cible de pulvérisation cathodique utilisant ledit corps fritté à base d'oxydes. Le corps fritté à base d'oxydes selon l'invention contient de l'indium, du gallium et du zinc à titre d'oxydes. Sa teneur en gallium, exprimée en rapport atomique Ga/(In + Ga), est de 0,08 ou plus et inférieure à 0,20, et sa teneur en zinc, exprimée en rapport atomique Zn/(In + Ga + Zn), est de 0,0001 ou plus et inférieure à 0,08. Le film mince semi-conducteur cristallin à base d'oxydes selon l'invention est formé en utilisant le corps fritté à base d'oxydes à titre de cible de pulvérisation cathodique, et permet d'obtenir une densité de porteurs de charge de 8,0×1017 cm-3 ou moins et une mobilité desdits porteurs de charge de 10 cm2/V*s ou plus.
スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）原子数比で０．０８以上０．２０未満であり亜鉛の含有量がＺｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）原子数比で０．０００１以上０．０８未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度８．０×１０１７ｃｍ－３以下で、キャリア移動度１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上が得られる。
OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDES, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'OXYDES OBTENU À L'AIDE DE LADITE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
NAKAYAMA TOKUYUKI (author) / NISHIMURA EIICHIRO (author) / MATSUMURA FUMIHIKO (author) / IWARA MASASHI (author)
2015-09-03
Patent
Electronic Resource
Japanese
| European Patent Office | 2017
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