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ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
The present invention relates to a sputtering target characterized by being a sintered compact comprising In, Sn, O, and unavoidable impurities, the sintered compact containing Sn in an atomic ratio Sn/(In + Sn) of 1.8% to 3.7% (excluding 3.7%), the average crystal grain size of the sintered compact being in the range of 1.0-5.0 µm, vacancies having a major-axis diameter of 0.1-1.0 µm constituting an area ratio of 0.5% or less, the sintered compact having two phases including an indium oxide phase and a tin-oxide-rich phase, the area ratio of the tin-oxide-rich phase being 0.1-1.0%, and 95% or more of the tin-oxide-rich phase being present at grain boundary triple points. The present invention makes it possible to provide an ITO sputtering target suitable for forming a transparent electroconductive film and which has a low tin oxide content and enables a low-resistance film to be obtained even at low temperature, the sputtering target having a small grain size, high density, and high strength, and making it possible to reduce the occurrence of arcing or nodules.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation caractérisée en ce qu'elle est un corps compact fritté comprenant de l'In, Sn, O, et des impuretés inévitables, le corps compact fritté contenant du Sn sous un rapport atomique Sn/(In + Sn) de 1,8 % à 3,7 % (excluant 3,7 %), la taille moyenne des grains cristallins du corps compact fritté se situant dans la plage de 1,0 à 5,0 µm, des vides ayant un diamètre d'axe majeur de 0,1 à 1,0 µm constituant un rapport des surfaces de 0,5 % ou moins, le corps compact fritté ayant deux phases incluant une phase d'oxyde d'indium et une phase riche en oxyde d'étain, le rapport des surfaces de la phase riche en oxyde d'étain étant de 0,1 à 1,0 %, et 95 % ou plus de la phase riche en oxyde d'étain étant présent aux points triples frontières des grains. La présente invention permet de produire une cible de pulvérisation d'ITO convenant à la formation d'un film électroconducteur transparent et qui présente une faible teneur en oxyde d'étain et qui permet d'obtenir un film de résistance faible même à basse température, la cible de pulvérisation ayant une petite taille de grain, une densité élevée, et une résistance élevée, et rend possible la réduction d'apparition de formation d'arc ou de nodules.
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０～５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１～１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１～１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。透明導電膜形成に好適な、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットであり、ターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるスパッタリングターゲットを提供することができる。
ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
The present invention relates to a sputtering target characterized by being a sintered compact comprising In, Sn, O, and unavoidable impurities, the sintered compact containing Sn in an atomic ratio Sn/(In + Sn) of 1.8% to 3.7% (excluding 3.7%), the average crystal grain size of the sintered compact being in the range of 1.0-5.0 µm, vacancies having a major-axis diameter of 0.1-1.0 µm constituting an area ratio of 0.5% or less, the sintered compact having two phases including an indium oxide phase and a tin-oxide-rich phase, the area ratio of the tin-oxide-rich phase being 0.1-1.0%, and 95% or more of the tin-oxide-rich phase being present at grain boundary triple points. The present invention makes it possible to provide an ITO sputtering target suitable for forming a transparent electroconductive film and which has a low tin oxide content and enables a low-resistance film to be obtained even at low temperature, the sputtering target having a small grain size, high density, and high strength, and making it possible to reduce the occurrence of arcing or nodules.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation caractérisée en ce qu'elle est un corps compact fritté comprenant de l'In, Sn, O, et des impuretés inévitables, le corps compact fritté contenant du Sn sous un rapport atomique Sn/(In + Sn) de 1,8 % à 3,7 % (excluant 3,7 %), la taille moyenne des grains cristallins du corps compact fritté se situant dans la plage de 1,0 à 5,0 µm, des vides ayant un diamètre d'axe majeur de 0,1 à 1,0 µm constituant un rapport des surfaces de 0,5 % ou moins, le corps compact fritté ayant deux phases incluant une phase d'oxyde d'indium et une phase riche en oxyde d'étain, le rapport des surfaces de la phase riche en oxyde d'étain étant de 0,1 à 1,0 %, et 95 % ou plus de la phase riche en oxyde d'étain étant présent aux points triples frontières des grains. La présente invention permet de produire une cible de pulvérisation d'ITO convenant à la formation d'un film électroconducteur transparent et qui présente une faible teneur en oxyde d'étain et qui permet d'obtenir un film de résistance faible même à basse température, la cible de pulvérisation ayant une petite taille de grain, une densité élevée, et une résistance élevée, et rend possible la réduction d'apparition de formation d'arc ou de nodules.
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｏ、及び不可避的不純物からなる焼結体であって、原子比でＳｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が１．８％以上３．７％以下（但し、３．７％を除く）となるＳｎを含有し、焼結体の平均結晶粒径が１．０～５．０μｍの範囲であり、長軸径０．１～１．０μｍの空孔が面積比率０．５％以下であり、酸化インジウム相と酸化錫リッチ相の２相になっており、酸化錫リッチ相の面積率が０．１～１．０％以下で、酸化錫リッチ相の９５％以上が粒界三重点に存在することを特徴とするスパッタリングターゲットに関する。透明導電膜形成に好適な、低温でも低抵抗な膜を得ることが可能である低酸化錫組成のＩＴＯスパッタリングターゲットであり、ターゲットの粒径が小さく、高密度であり、強度が高く、アーキングやノジュールを低減できるスパッタリングターゲットを提供することができる。
ITO SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING ITO TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM
CIBLE DE PULVÉRISATION D'ITO ET PROCÉDÉ POUR LA FABRIQUER, FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT D'ITO, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM ÉLECTROCONDUCTEUR TRANSPARENT D'ITO
ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにＩＴＯ透明導電膜及びＩＴＯ透明導電膜の製造方法
KAKENO TAKASHI (author)
2016-05-12
Patent
Electronic Resource
Japanese
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