A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SILICON CARBIDE CERAMIC ASSEMBLY
In a silicon carbide ceramic assembly formed by bonding multiple substrates including a silicon carbide ceramic substrate, the multiple substrates are ceramic substrates including silicon carbide or a ceramic substrate including silicon carbide and a metal substrate. Silicon is used as a bonding material, and the relationship 0.1≤b/a≤0.5 is established, where a is the thickness of the bonded portion of the substrates and b is the width of the bonding material. As a result, a long and large silicon carbide ceramic assembly is provided which can be used at temperatures over 1000°C.
Dans un ensemble en céramique de carbure de silicium formé par liaison de multiples substrats, comprenant un substrat en céramique de carbure de silicium, les multiples substrats sont des substrats en céramique comprenant du carbure de silicium ou un substrat en céramique comprenant du carbure de silicium et un substrat métallique. Du silicium est utilisé en tant que matériau de liaison et la relation 0,1 ≤ b/a ≤ 0,5 est établie, où a est l'épaisseur de la partie liée des substrats et b est la largeur du matériau de liaison. Par conséquent, un ensemble en céramique de carbure de silicium long et de grande dimension est obtenu, lequel peut être utilisé à des températures supérieures à 1000°C.
炭化珪素セラミックス基材を含む複数の基材を接合して形成された炭化珪素セラミックス接合体において、複数の基材が炭化珪素を含むセラミックス基材同士、または炭化珪素を含むセラミックス基材と金属基材であり、接合材に珪素を用いるとともに、基材の接合部の厚さをａ、接合材の幅をｂとした際に、０．１≦ｂ／ａ≦０．５の関係が成立する。これにより、１０００℃を超える高温での使用が可能な、大型・長尺の炭化珪素セラミックス接合体が提供される。
SILICON CARBIDE CERAMIC ASSEMBLY
In a silicon carbide ceramic assembly formed by bonding multiple substrates including a silicon carbide ceramic substrate, the multiple substrates are ceramic substrates including silicon carbide or a ceramic substrate including silicon carbide and a metal substrate. Silicon is used as a bonding material, and the relationship 0.1≤b/a≤0.5 is established, where a is the thickness of the bonded portion of the substrates and b is the width of the bonding material. As a result, a long and large silicon carbide ceramic assembly is provided which can be used at temperatures over 1000°C.
Dans un ensemble en céramique de carbure de silicium formé par liaison de multiples substrats, comprenant un substrat en céramique de carbure de silicium, les multiples substrats sont des substrats en céramique comprenant du carbure de silicium ou un substrat en céramique comprenant du carbure de silicium et un substrat métallique. Du silicium est utilisé en tant que matériau de liaison et la relation 0,1 ≤ b/a ≤ 0,5 est établie, où a est l'épaisseur de la partie liée des substrats et b est la largeur du matériau de liaison. Par conséquent, un ensemble en céramique de carbure de silicium long et de grande dimension est obtenu, lequel peut être utilisé à des températures supérieures à 1000°C.
炭化珪素セラミックス基材を含む複数の基材を接合して形成された炭化珪素セラミックス接合体において、複数の基材が炭化珪素を含むセラミックス基材同士、または炭化珪素を含むセラミックス基材と金属基材であり、接合材に珪素を用いるとともに、基材の接合部の厚さをａ、接合材の幅をｂとした際に、０．１≦ｂ／ａ≦０．５の関係が成立する。これにより、１０００℃を超える高温での使用が可能な、大型・長尺の炭化珪素セラミックス接合体が提供される。
SILICON CARBIDE CERAMIC ASSEMBLY
ENSEMBLE EN CÉRAMIQUE DE CARBURE DE SILICIUM
炭化珪素セラミックス接合体
TAKAMORI YOSHIYUKI (author) / ZHANG XUDONG (author) / MIYATA MOTOYUKI (author) / KAWANAKA HIROTSUGU (author)
2016-12-08
Patent
Electronic Resource
Japanese