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KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), wobei -die Kupferschicht (3,4) mindestens eine erste, dem Keramikträger zugewandte Schicht (5,6) mit einer gemittelten ersten Korngröße und eine an der von dem Keramikträger (2) abgewandten Seite der Kupferschicht (3,4) angeordnete zweite Schicht (7,8) mit einer gemittelten zweiten Korngröße aufweist, wobei -die zweite Korngröße kleiner als die erste Korngröße ist. die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 100 μ m, bevorzugt ca. 250 bis 1000 μ m, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 100 pm, bevorzugt ca. 50 µm, aufweist, oder -die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 150 pm, bevorzugt ca. 250 bis 2000 µm, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 150 μ m, bevorzugt ca. 50 pm, aufweist. Vozugsweise werden Cu-ETP und Cu-OF oder Cu-OFE verwendet.
The present invention relates to a copper-ceramic substrate (1) comprising - a ceramic support (2) and - a copper layer (3, 4) joined to a surface of the ceramic support (2), where - the copper layer (3, 4) has at least one first layer (5, 6) which faces the ceramic support and has an averaged first particle size, and a second layer (7, 8) disposed on the side of the copper layer (3, 4) that faces away from the ceramic support (2), and having an averaged second particle size, where - the second particle size is smaller than the first particle size. The first layer (5, 6) has on average a particle size of greater than 100 μm, preferably about 250 to 1000 μm, and - the second layer (7, 8) has on average a particle size of less than 100 μm, preferably about 50 μm, or - the first layer (5, 6) has on average a particle size of greater than 150 pm, preferably about 250 to 2000 μm, and the - second layer (7, 8) has on average a particle size of less than 150 pm, preferably about 50 pm. Preference is given to using Cu-ETP and Cu-OF or Cu-OFE.
La présente invention concerne un substrat (1) en cuivre-céramique, présentant - un support (2) en céramique et - une couche de cuivre (3,4) reliée à une surface du support (2) en céramique, – la couche de cuivre (3,4) présentant au moins une première couche (5,6) orientée vers le support en céramique, présentant une première grosseur moyenne de particule, et une deuxième couche (7,8) disposée sur le côté opposé au support (2) en céramique de la couche de cuivre (3,4), présentant une deuxième grosseur moyenne de particule, – la deuxième grosseur de particule étant inférieure à la première grosseur de particule. La première couche (5,6) présente en moyenne une grosseur de particule supérieure à 100 µm, de préférence d'environ 250 à 1000 µm et la deuxième couche (7,8) présente en moyenne une grosseur de particule inférieure à 100 µm, de préférence d'environ 50 µm ; ou la première couche (5,6) présente en moyenne une grosseur de particule supérieure à 150 µm, de préférence d'environ 250 à 2000 µm et la deuxième couche (7,8) présente en moyenne une grosseur de particule inférieure à 150 µm, de préférence d'environ 50 µm. On utilise de préférence du Cu-ETP et du Cu-OF ou du Cu-OFE.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), wobei -die Kupferschicht (3,4) mindestens eine erste, dem Keramikträger zugewandte Schicht (5,6) mit einer gemittelten ersten Korngröße und eine an der von dem Keramikträger (2) abgewandten Seite der Kupferschicht (3,4) angeordnete zweite Schicht (7,8) mit einer gemittelten zweiten Korngröße aufweist, wobei -die zweite Korngröße kleiner als die erste Korngröße ist. die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 100 μ m, bevorzugt ca. 250 bis 1000 μ m, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 100 pm, bevorzugt ca. 50 µm, aufweist, oder -die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 150 pm, bevorzugt ca. 250 bis 2000 µm, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 150 μ m, bevorzugt ca. 50 pm, aufweist. Vozugsweise werden Cu-ETP und Cu-OF oder Cu-OFE verwendet.
The present invention relates to a copper-ceramic substrate (1) comprising - a ceramic support (2) and - a copper layer (3, 4) joined to a surface of the ceramic support (2), where - the copper layer (3, 4) has at least one first layer (5, 6) which faces the ceramic support and has an averaged first particle size, and a second layer (7, 8) disposed on the side of the copper layer (3, 4) that faces away from the ceramic support (2), and having an averaged second particle size, where - the second particle size is smaller than the first particle size. The first layer (5, 6) has on average a particle size of greater than 100 μm, preferably about 250 to 1000 μm, and - the second layer (7, 8) has on average a particle size of less than 100 μm, preferably about 50 μm, or - the first layer (5, 6) has on average a particle size of greater than 150 pm, preferably about 250 to 2000 μm, and the - second layer (7, 8) has on average a particle size of less than 150 pm, preferably about 50 pm. Preference is given to using Cu-ETP and Cu-OF or Cu-OFE.
La présente invention concerne un substrat (1) en cuivre-céramique, présentant - un support (2) en céramique et - une couche de cuivre (3,4) reliée à une surface du support (2) en céramique, – la couche de cuivre (3,4) présentant au moins une première couche (5,6) orientée vers le support en céramique, présentant une première grosseur moyenne de particule, et une deuxième couche (7,8) disposée sur le côté opposé au support (2) en céramique de la couche de cuivre (3,4), présentant une deuxième grosseur moyenne de particule, – la deuxième grosseur de particule étant inférieure à la première grosseur de particule. La première couche (5,6) présente en moyenne une grosseur de particule supérieure à 100 µm, de préférence d'environ 250 à 1000 µm et la deuxième couche (7,8) présente en moyenne une grosseur de particule inférieure à 100 µm, de préférence d'environ 50 µm ; ou la première couche (5,6) présente en moyenne une grosseur de particule supérieure à 150 µm, de préférence d'environ 250 à 2000 µm et la deuxième couche (7,8) présente en moyenne une grosseur de particule inférieure à 150 µm, de préférence d'environ 50 µm. On utilise de préférence du Cu-ETP et du Cu-OF ou du Cu-OFE.
KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS
COPPER-CERAMIC SUBSTRATE, COPPER PRECURSOR FOR PRODUCING A COPPER-CERAMIC SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING A COPPER-CERAMIC SUBSTRATE
SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE, PRODUIT SEMI-FINI EN CUIVRE POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE
ZEIGER KARL (author) / CAPPI BENJAMIN (author) / LEHMANN HELGE (author) / KOCH ROBERT (author)
2017-06-15
Patent
Electronic Resource
German
| European Patent Office | 2021
Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats und Metall-Keramik-Substrat
| European Patent Office | 2019
Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats
| European Patent Office | 2022
METALL-KERAMIK-SUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES METALL-KERAMIK-SUBSTRATS
| European Patent Office | 2024
Metall-Keramik-Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Metall-Keramik-Substrats
| European Patent Office | 2023