A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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PHOTOVOLTAICALLY ACTIVE PEROVSKITE MATERIALS
The invention provides a material with perovskite-type structure having a formula selected from Formula I and Formula II. in which A' represents one or more monovalent cations that can be selected from alkali metal ions, (organo)ammonium and (organo)phosphonium ions; A" represents one or more divalent cations that can be selected from alkaline earth metal cations; A'" represents one or more trivalent cations that can be selected from lanthanide ions; a, b and c are each in the range of from 0 to 1, a + b + c = 1; x = a + 2b + 3c; d is in the range of from 1 to 5, each of e, f and g are in the range of from 0 to 1, with the proviso that g is less than 1 in Formula I; e + f + g = 1; y = 2(e + f) + 3g; each X in "X" and "X2" is independently selected from the halogens; and h is in the range of from 0.0001 to 0.2. X2 is a dihalogen moiety, and can be the source of a valence band "hole" in the photovoltaic semiconducting material. The invention also relates to photovoltaic devices or a surface coating that comprises the material.
L'invention concerne un matériau présentant une structure du type pérovskite, qui est représenté par une formule choisie entre la formule I et la formule II, dans lesquelles A' représente un ou plusieurs cation(s) monovalent(s) pouvant être choisi(s) parmi les ions de métaux alcalins, les ions (organo)ammonium et (organo)phosphonium ; A" représente un ou plusieurs cation(s) divalent(s) pouvant être choisi(s) parmi les cations de métaux alcalino-terreux ; A'" représente un ou plusieurs cation(s) trivalent(s) pouvant être choisi(s) parmi les ions lanthanides ; a, b et c sont compris chacun dans la plage de 0 à 1, a + b + c = 1 ; x = a + 2b + 3c ; d est compris dans la plage de 1 à 5 ; e, f et g sont compris chacun dans la plage de 0 à 1, à condition que g soit inférieur à 1 dans la formule I ; e + f + g = 1 ; y = 2(e + f) + 3g ; chaque X, dans "X" et "X2", est choisi indépendamment parmi les halogènes ; et h est compris dans la plage de 0,0001 à 0,2. X2 représente une fraction dihalogène, et peut être la source d'un "trou" de bande de valence dans le matériau semi-conducteur photovoltaïque. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques ou un revêtement de surface qui comprend le matériau.
PHOTOVOLTAICALLY ACTIVE PEROVSKITE MATERIALS
The invention provides a material with perovskite-type structure having a formula selected from Formula I and Formula II. in which A' represents one or more monovalent cations that can be selected from alkali metal ions, (organo)ammonium and (organo)phosphonium ions; A" represents one or more divalent cations that can be selected from alkaline earth metal cations; A'" represents one or more trivalent cations that can be selected from lanthanide ions; a, b and c are each in the range of from 0 to 1, a + b + c = 1; x = a + 2b + 3c; d is in the range of from 1 to 5, each of e, f and g are in the range of from 0 to 1, with the proviso that g is less than 1 in Formula I; e + f + g = 1; y = 2(e + f) + 3g; each X in "X" and "X2" is independently selected from the halogens; and h is in the range of from 0.0001 to 0.2. X2 is a dihalogen moiety, and can be the source of a valence band "hole" in the photovoltaic semiconducting material. The invention also relates to photovoltaic devices or a surface coating that comprises the material.
L'invention concerne un matériau présentant une structure du type pérovskite, qui est représenté par une formule choisie entre la formule I et la formule II, dans lesquelles A' représente un ou plusieurs cation(s) monovalent(s) pouvant être choisi(s) parmi les ions de métaux alcalins, les ions (organo)ammonium et (organo)phosphonium ; A" représente un ou plusieurs cation(s) divalent(s) pouvant être choisi(s) parmi les cations de métaux alcalino-terreux ; A'" représente un ou plusieurs cation(s) trivalent(s) pouvant être choisi(s) parmi les ions lanthanides ; a, b et c sont compris chacun dans la plage de 0 à 1, a + b + c = 1 ; x = a + 2b + 3c ; d est compris dans la plage de 1 à 5 ; e, f et g sont compris chacun dans la plage de 0 à 1, à condition que g soit inférieur à 1 dans la formule I ; e + f + g = 1 ; y = 2(e + f) + 3g ; chaque X, dans "X" et "X2", est choisi indépendamment parmi les halogènes ; et h est compris dans la plage de 0,0001 à 0,2. X2 représente une fraction dihalogène, et peut être la source d'un "trou" de bande de valence dans le matériau semi-conducteur photovoltaïque. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques ou un revêtement de surface qui comprend le matériau.
PHOTOVOLTAICALLY ACTIVE PEROVSKITE MATERIALS
MATÉRIAUX DE PÉROVSKITE À ACTIVITÉ PHOTOVOLTAÏQUE
GREEN MARK ANDREW (author)
2018-04-19
Patent
Electronic Resource
English
Perovskite materials and devices
| UB Braunschweig | 2022
Ferroelectric Perovskite Oxide-Based Photovoltaic Materials
| European Patent Office | 2017
Pulsed laser deposition of electrochemically active perovskite films
| British Library Online Contents | 2002
2D Perovskite Materials and Their Device Applications
| Wiley | 2020