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ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
Group 4 transition metal-containing film forming compositions comprising Group 4 transition metal precursors having the formula: L-M-C5R3-I -[(ER2)m-(ER2)n-L']-2-[(ER2)o-(ER2)p-L']- and L-M-C5R3- 1 -[(ER2)m-(ER2)n)-L']-3-[(ER2)o-(ER2)p-L']- wherein M is Ti, Zr, or Hf; each E is independently C, Si, B or P; m and n is independently 0, 1 or 2; m + n >1; o and p is independently 0, 1 or 2; o + p >1; each R is independently hydrogen or or a C1-C4 hydrocarbon group; each L is independently a -1 anionic ligand selected from the group consisting of NR'2, OR', Cp, amidinate, β-diketonate or keto-iminate, wherein R' is a H or a C1-C4 hydrocarbon group; and each L' is independently NR" or 0, wherein R" is a H or a C1-C4 hydrocarbon group. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.
La présente invention concerne des compositions filmogènes contenant un métal de transition du groupe 4 consistant en des précurseurs de métaux de transition du groupe 4 présentant la formule : L-M-C5R3-I -[(ER2)m-(ER2)n-L']-2-[(ER2)o-(ER2)p-L']- et L-M-C5R3- 1 -[(ER2)m-(ER2)n)-L']-3-[(ER2)o-(ER2)p-L']- M représentant Ti, Zr ou Hf; chaque E représentant de manière indépendante C, Si, B ou P ; m et n représentant de manière indépendante 0, 1 ou 2 ; m + n >1 ; o et p étant de manière indépendante 0, 1 ou 2 ; o + p >1 ; chaque R est de manière indépendante hydrogène ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; chaque L étant de manière indépendante un ligand anionique -1 sélectionné parmi le groupe consistant en NR'2, OR', Cp, amidinate, bêta-dicétonate ou céto-iminate, R' étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; et chaque L' étant de manière indépendante NR" ou 0, R" étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4. L'invention concerne également des procédés de synthèse et l'utilisation des précurseurs de l'invention pour déposer des films contenant un métal de transition du groupe 4 sur un ou plusieurs substrats au moyen de procédés de dépôt en phase vapeur.
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
Group 4 transition metal-containing film forming compositions comprising Group 4 transition metal precursors having the formula: L-M-C5R3-I -[(ER2)m-(ER2)n-L']-2-[(ER2)o-(ER2)p-L']- and L-M-C5R3- 1 -[(ER2)m-(ER2)n)-L']-3-[(ER2)o-(ER2)p-L']- wherein M is Ti, Zr, or Hf; each E is independently C, Si, B or P; m and n is independently 0, 1 or 2; m + n >1; o and p is independently 0, 1 or 2; o + p >1; each R is independently hydrogen or or a C1-C4 hydrocarbon group; each L is independently a -1 anionic ligand selected from the group consisting of NR'2, OR', Cp, amidinate, β-diketonate or keto-iminate, wherein R' is a H or a C1-C4 hydrocarbon group; and each L' is independently NR" or 0, wherein R" is a H or a C1-C4 hydrocarbon group. Also disclosed are methods of synthesizing and using the disclosed precursors to deposit Group 4 transition metal-containing films on one or more substrates via vapor deposition processes.
La présente invention concerne des compositions filmogènes contenant un métal de transition du groupe 4 consistant en des précurseurs de métaux de transition du groupe 4 présentant la formule : L-M-C5R3-I -[(ER2)m-(ER2)n-L']-2-[(ER2)o-(ER2)p-L']- et L-M-C5R3- 1 -[(ER2)m-(ER2)n)-L']-3-[(ER2)o-(ER2)p-L']- M représentant Ti, Zr ou Hf; chaque E représentant de manière indépendante C, Si, B ou P ; m et n représentant de manière indépendante 0, 1 ou 2 ; m + n >1 ; o et p étant de manière indépendante 0, 1 ou 2 ; o + p >1 ; chaque R est de manière indépendante hydrogène ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; chaque L étant de manière indépendante un ligand anionique -1 sélectionné parmi le groupe consistant en NR'2, OR', Cp, amidinate, bêta-dicétonate ou céto-iminate, R' étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4 ; et chaque L' étant de manière indépendante NR" ou 0, R" étant un H ou un groupe hydrocarboné en C1-C4. L'invention concerne également des procédés de synthèse et l'utilisation des précurseurs de l'invention pour déposer des films contenant un métal de transition du groupe 4 sur un ou plusieurs substrats au moyen de procédés de dépôt en phase vapeur.
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
PRÉCURSEURS DE ZIRCONIUM, D'HAFNIUM, DE TITANE ET DÉPÔT DE FILMS CONTENANT LE GROUPE 4 À L'AIDE DE CEUX-CI
GATINEAU JULIEN (author) / KIM DAEHYEON (author) / NOH WONTAE (author) / GATINEAU SATAKO (author) / GIRARD JEAN-MARC (author)
2018-07-05
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
C23C
Beschichten metallischer Werkstoffe
,
COATING METALLIC MATERIAL
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C07F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
,
ACYCLIC, CARBOCYCLIC, OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
| European Patent Office | 2019
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
| European Patent Office | 2017
Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same
| European Patent Office | 2019
Zirconium, hafnium, titanium precursors and deposition of group 4 containing films using the same
| European Patent Office | 2021
ZIRCONIUM, HAFNIUM, TITANIUM PRECURSORS AND DEPOSITION OF GROUP 4 CONTAINING FILMS USING THE SAME
| European Patent Office | 2017