A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPINTRONIC MEMORY WITH ENHANCED CRYSTALLIZED LAYER
An embodiment includes an apparatus comprising: a magnetic tunnel junction (MTJ) including a fixed magnetic layer and a tunnel barrier layer; a first layer on the tunnel barrier layer; a second layer on the first layer; and an oxide layer on the second layer; wherein: (a)(i) the first layer includes a plurality of metals and directly contacts the tunnel barrier layer, and (a)(ii) the second layer includes the plurality of metals and an element selected from the group consisting of carbon, silicon, germanium, tin, phosphorous, or combinations thereof. Other embodiments are described herein.
L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un appareil comprenant : une jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) comprenant une couche magnétique fixe et une couche barrière à effet tunnel ; une première couche sur la couche barrière à effet tunnel ; une seconde couche sur la première couche ; et une couche d'oxyde sur la seconde couche ; (a)(i) la première couche comprend une pluralité de métaux et est directement en contact avec la couche barrière à effet tunnel, et (a)(ii) la seconde couche comprend la pluralité de métaux et un élément choisi dans l'ensemble constitué par le carbone, le silicium, le germanium, l'étain, le phosphore ou des combinaisons de ces derniers. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.
SPINTRONIC MEMORY WITH ENHANCED CRYSTALLIZED LAYER
An embodiment includes an apparatus comprising: a magnetic tunnel junction (MTJ) including a fixed magnetic layer and a tunnel barrier layer; a first layer on the tunnel barrier layer; a second layer on the first layer; and an oxide layer on the second layer; wherein: (a)(i) the first layer includes a plurality of metals and directly contacts the tunnel barrier layer, and (a)(ii) the second layer includes the plurality of metals and an element selected from the group consisting of carbon, silicon, germanium, tin, phosphorous, or combinations thereof. Other embodiments are described herein.
L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un appareil comprenant : une jonction magnétique à effet tunnel (MTJ) comprenant une couche magnétique fixe et une couche barrière à effet tunnel ; une première couche sur la couche barrière à effet tunnel ; une seconde couche sur la première couche ; et une couche d'oxyde sur la seconde couche ; (a)(i) la première couche comprend une pluralité de métaux et est directement en contact avec la couche barrière à effet tunnel, et (a)(ii) la seconde couche comprend la pluralité de métaux et un élément choisi dans l'ensemble constitué par le carbone, le silicium, le germanium, l'étain, le phosphore ou des combinaisons de ces derniers. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.
SPINTRONIC MEMORY WITH ENHANCED CRYSTALLIZED LAYER
MÉMOIRE SPINTRONIQUE À COUCHE CRISTALLISÉE AMÉLIORÉE
OGUZ KAAN (author) / WIEGAND CHRISTOPHER J (author) / O'BRIEN KEVIN P (author) / DOYLE BRIAN S (author) / DOCZY MARK L (author) / RAHMAN MD TOFIZUR (author) / OUELLETTE DANIEL G (author) / GHANI TAHIR (author) / GOLONZKA OLEG (author)
2018-10-04
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10N
| IEEE | 2006
Crystallized InBiS3 thin films with enhanced optoelectronic properties
| British Library Online Contents | 2018
Crystallized InBiS3 thin films with enhanced optoelectronic properties
| British Library Online Contents | 2018
Breakthrough could benefit spintronic performance
| British Library Online Contents | 2012
Combinatorial Investigation of Spintronic Materials
| British Library Online Contents | 2003