A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
A method for forming a 3D memory device is disclosed. The method includes: forming an alternating dielectric stack on a substrate; forming a plurality of channel holes penetrating the alternating dielectric stack; forming a channel structure in each channel hole; forming a channel column structure on the channel structure in each channel hole; trimming an upper portion of each channel column structure to form a channel plug; and forming a top selective gate cut between neighboring channel plugs.
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D. Le procédé comprend : la formation d'une pile diélectrique alternée sur un substrat; la formation d'une pluralité de trous de canal pénétrant dans la pile diélectrique alternée; la formation d'une structure de canal dans chaque trou de canal; la formation d'une structure de colonne de canal sur la structure de canal dans chaque trou de canal; le rognage d'une partie supérieure de chaque structure de colonne de canal pour former une fiche de canal; et la formation d'une découpe de grille sélective supérieure entre des fiches de canal voisines.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
A method for forming a 3D memory device is disclosed. The method includes: forming an alternating dielectric stack on a substrate; forming a plurality of channel holes penetrating the alternating dielectric stack; forming a channel structure in each channel hole; forming a channel column structure on the channel structure in each channel hole; trimming an upper portion of each channel column structure to form a channel plug; and forming a top selective gate cut between neighboring channel plugs.
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire 3D. Le procédé comprend : la formation d'une pile diélectrique alternée sur un substrat; la formation d'une pluralité de trous de canal pénétrant dans la pile diélectrique alternée; la formation d'une structure de canal dans chaque trou de canal; la formation d'une structure de colonne de canal sur la structure de canal dans chaque trou de canal; le rognage d'une partie supérieure de chaque structure de colonne de canal pour former une fiche de canal; et la formation d'une découpe de grille sélective supérieure entre des fiches de canal voisines.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
LU ZHENYU (author) / HUANG YURU (author) / TAO QIAN (author) / HU YUSHI (author) / CHEN JUN (author) / DAI XIAOWANG (author) / ZHU JIFENG (author) / LI YONGNA (author) / SONG LIDONG (author)
2019-03-07
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2019
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATING METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2020
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND FABRICATION METHODS THEREOF
| European Patent Office | 2020