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BORON NITRIDE NANOTUBE SYNTHESIS VIA LASER DIODE
High quality Boron Nitride Nanotubes (BNNTs) may be synthesized by heating a boron melt target via one or more laser diodes, including laser diode stacks. The use of a diode stack and beam shaping optics to irradiate the boron melt eliminates the need for a conventional laser cavity as has been employed with previous embodiments. The diode arrangements facilitate managing power distribution on the born melt(s), nitrogen gas flows, and blackbody radiation that drive the BNNT self-assembly process. These parameters may be used for controlling the proportions and characteristics of boron species, a-BN particles, h-BN nanocages, and h-BN nano sheets in the as- synthesized BNNT material while enhancing the quality of the BNNTs.
L'invention concerne des nanotubes de nitrure de bore de haute qualité (BNNT) pouvant être synthétisés par chauffage d'une fusion cible de bore par l'intermédiaire d'une ou de plusieurs diodes laser, y compris des empilements de diodes laser. L'utilisation d'un empilement de diodes et d'un élément optique de mise en forme de faisceau pour irradier la masse de bore fondue élimine le besoin d'une cavité laser classique telle qu'employée dans les modes de réalisation précédents. Les agencements de diodes facilitent la gestion de la distribution de puissance sur la ou les masses de bore fondues, les flux d'azote gazeux et le rayonnement de corps noir qui gouvernent le processus d'autoassemblage BNNT. Ces paramètres peuvent être utilisés pour commander les proportions et les caractéristiques d'espèces de bore, de particules a-BN, de nanocages h-BN et de nanofeuilles h-BN dans le matériau BNNT synthétisé tout en améliorant la qualité des BNNT.
BORON NITRIDE NANOTUBE SYNTHESIS VIA LASER DIODE
High quality Boron Nitride Nanotubes (BNNTs) may be synthesized by heating a boron melt target via one or more laser diodes, including laser diode stacks. The use of a diode stack and beam shaping optics to irradiate the boron melt eliminates the need for a conventional laser cavity as has been employed with previous embodiments. The diode arrangements facilitate managing power distribution on the born melt(s), nitrogen gas flows, and blackbody radiation that drive the BNNT self-assembly process. These parameters may be used for controlling the proportions and characteristics of boron species, a-BN particles, h-BN nanocages, and h-BN nano sheets in the as- synthesized BNNT material while enhancing the quality of the BNNTs.
L'invention concerne des nanotubes de nitrure de bore de haute qualité (BNNT) pouvant être synthétisés par chauffage d'une fusion cible de bore par l'intermédiaire d'une ou de plusieurs diodes laser, y compris des empilements de diodes laser. L'utilisation d'un empilement de diodes et d'un élément optique de mise en forme de faisceau pour irradier la masse de bore fondue élimine le besoin d'une cavité laser classique telle qu'employée dans les modes de réalisation précédents. Les agencements de diodes facilitent la gestion de la distribution de puissance sur la ou les masses de bore fondues, les flux d'azote gazeux et le rayonnement de corps noir qui gouvernent le processus d'autoassemblage BNNT. Ces paramètres peuvent être utilisés pour commander les proportions et les caractéristiques d'espèces de bore, de particules a-BN, de nanocages h-BN et de nanofeuilles h-BN dans le matériau BNNT synthétisé tout en améliorant la qualité des BNNT.
BORON NITRIDE NANOTUBE SYNTHESIS VIA LASER DIODE
SYNTHÈSE DE NANOTUBES DE NITRURE DE BORE PAR DIODE LASER
STEVENS JONATHAN (author) / HENNEBERG THOMAS (author) / JORDAN KEVIN (author) / SMITH MICHAEL (author) / WHITNEY R (author)
2019-12-05
Patent
Electronic Resource
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