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METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE METAL-BRAZED NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE WITH EXCELLENT JOINING STRENGTH
The present invention relates to a nitride ceramic (AlN or Si3N4) wiring substrate with excellent joining strength, wherein slow cooling is performed at a rate of 100°C or lower per hour after sintering, and the surface of nitride silicon is roughened by sandblasting, followed by joining. The nitride ceramic wiring substrate according to the present invention retains not only high-strength characteristics inherent to an aluminum nitride (AlN) or silicon nitride (Si3N4) sintered body but also excellent joining strength, especially, through the use of active metal brazed copper (AMC), and thus has high reliability and excellent thermal conductivity and heat dissipation. Hence, the nitride ceramic wiring substrate can be appropriately used as a substrate for various types of power modules for high power and large capacity.
La présente invention concerne un substrat de câblage en céramique de nitrure (AlN ou Si3N4) présentant une excellente force de liaison, un refroidissement lent étant effectué à un rythme de 100 °C ou moins par heure après frittage, et la surface du nitrure de silicium étant rendue rugueuse par sablage, cela étant suivi de l'assemblage. Le substrat de câblage en céramique de nitrure selon la présente invention conserve non seulement les caractéristiques de résistance élevée inhérentes à un corps fritté en nitrure d'aluminium (AlN) ou en nitrure de silicium (Si3N4), mais également une excellente force de liaison, en particulier grâce à l'utilisation de cuivre métallique actif (AMC) brasé, et présente ainsi une fiabilité élevée et une excellente conductivité thermique, de même qu'une excellente dissipation thermique. Par conséquent, le substrat de câblage en céramique de nitrure peut être utilisé de manière appropriée en tant que substrat pour divers types de modules d'alimentation de forte puissance et de grande capacité.
본 발명은 접합강도가 우수한 질화세라믹스(AlN, Si3N4) 배선 기판에 관한 것으로서, 소결 후 시간당 100℃ 이하의 속도로 서냉하고, 샌드블라스트법으로 질화규소 표면에 요철을 만들어 접합하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 질화물 세라믹스 배선 기판은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4) 소결체가 본래 구비하는 고강도 특성과 함께, 특히 활성금속 접합법(Active Metal Brazed Copper:AMC)을 이용하여, 접합강도가 우수하여 신뢰성이 높고, 열전도율 및 방열성이 우수하기 때문에 대전력용 및 대용량용 각종 파워 모듈용 기판으로 적합하게 사용될 수 있다
METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE METAL-BRAZED NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE WITH EXCELLENT JOINING STRENGTH
The present invention relates to a nitride ceramic (AlN or Si3N4) wiring substrate with excellent joining strength, wherein slow cooling is performed at a rate of 100°C or lower per hour after sintering, and the surface of nitride silicon is roughened by sandblasting, followed by joining. The nitride ceramic wiring substrate according to the present invention retains not only high-strength characteristics inherent to an aluminum nitride (AlN) or silicon nitride (Si3N4) sintered body but also excellent joining strength, especially, through the use of active metal brazed copper (AMC), and thus has high reliability and excellent thermal conductivity and heat dissipation. Hence, the nitride ceramic wiring substrate can be appropriately used as a substrate for various types of power modules for high power and large capacity.
La présente invention concerne un substrat de câblage en céramique de nitrure (AlN ou Si3N4) présentant une excellente force de liaison, un refroidissement lent étant effectué à un rythme de 100 °C ou moins par heure après frittage, et la surface du nitrure de silicium étant rendue rugueuse par sablage, cela étant suivi de l'assemblage. Le substrat de câblage en céramique de nitrure selon la présente invention conserve non seulement les caractéristiques de résistance élevée inhérentes à un corps fritté en nitrure d'aluminium (AlN) ou en nitrure de silicium (Si3N4), mais également une excellente force de liaison, en particulier grâce à l'utilisation de cuivre métallique actif (AMC) brasé, et présente ainsi une fiabilité élevée et une excellente conductivité thermique, de même qu'une excellente dissipation thermique. Par conséquent, le substrat de câblage en céramique de nitrure peut être utilisé de manière appropriée en tant que substrat pour divers types de modules d'alimentation de forte puissance et de grande capacité.
본 발명은 접합강도가 우수한 질화세라믹스(AlN, Si3N4) 배선 기판에 관한 것으로서, 소결 후 시간당 100℃ 이하의 속도로 서냉하고, 샌드블라스트법으로 질화규소 표면에 요철을 만들어 접합하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 질화물 세라믹스 배선 기판은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4) 소결체가 본래 구비하는 고강도 특성과 함께, 특히 활성금속 접합법(Active Metal Brazed Copper:AMC)을 이용하여, 접합강도가 우수하여 신뢰성이 높고, 열전도율 및 방열성이 우수하기 때문에 대전력용 및 대용량용 각종 파워 모듈용 기판으로 적합하게 사용될 수 있다
METHOD FOR MANUFACTURING ACTIVE METAL-BRAZED NITRIDE CERAMIC SUBSTRATE WITH EXCELLENT JOINING STRENGTH
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE DE NITRURE BRASÉ À UN MÉTAL ACTIF PRÉSENTANT UNE EXCELLENTE FORCE DE LIAISON
접합강도가 우수한 질화물 세라믹스 활성금속 브레이징 기판의 제조방법
CHO INCHUL (author)
2020-02-20
Patent
Electronic Resource
Korean
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
| European Patent Office | 2024
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2020
Metal-ceramic interfaces: joining silicon nitride-stainless steel
| British Library Online Contents | 2004
Ceramic matrix composite-metal brazed joints
| British Library Online Contents | 1995