A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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CROSS-POINT SPIN-TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE MEMORY ARRAY AND METHOD OF MAKING THE SAME
A memory device includes a cross-point array of spin-torque transfer MRAM cells. First rail structures laterally extend along a first horizontal direction. Each of the first rail structures includes a vertical stack including, from bottom to top, a first electrically conductive line, a reference layer having a fixed magnetization direction, and a tunnel barrier layer. Second rail structures laterally extend along a second horizontal direction. Each of the second rail structures includes a second electrically conductive line that overlies the first rail structures. A two-dimensional array of pillar structures is located between a respective one of the first rail structures and a respective one of the second rail structures. Each of the pillar structures includes a free layer having energetically stable magnetization orientations that are parallel or antiparallel to the fixed magnetization direction.
L'invention concerne une dispositif de mémoire qui comprend un réseau à points de croisement de cellules MRAM de transfert de couple de spin. Les premières structures de rail s'étendent latéralement le long d'une première direction horizontale. Chacune des premières structures de rail comprend un empilement vertical comprenant, de bas en haut, une première ligne électriquement conductrice, une couche de référence ayant une direction de magnétisation fixe, et une couche barrière de tunnel. Des secondes structures de rail s'étendent latéralement le long d'une seconde direction horizontale. Chacune des secondes structures de rail comprend une seconde ligne électriquement conductrice qui recouvre les premières structures de rail. Un réseau bidimensionnel de structures de pilier est situé entre une structure respective parmi les premières structures de rail et une structure respective parmi les secondes structures de rail. Chacune des structures de pilier comprend une couche libre ayant des orientations de magnétisation énergétiquement stables qui sont parallèles ou antiparallèles à la direction de magnétisation fixe.
CROSS-POINT SPIN-TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE MEMORY ARRAY AND METHOD OF MAKING THE SAME
A memory device includes a cross-point array of spin-torque transfer MRAM cells. First rail structures laterally extend along a first horizontal direction. Each of the first rail structures includes a vertical stack including, from bottom to top, a first electrically conductive line, a reference layer having a fixed magnetization direction, and a tunnel barrier layer. Second rail structures laterally extend along a second horizontal direction. Each of the second rail structures includes a second electrically conductive line that overlies the first rail structures. A two-dimensional array of pillar structures is located between a respective one of the first rail structures and a respective one of the second rail structures. Each of the pillar structures includes a free layer having energetically stable magnetization orientations that are parallel or antiparallel to the fixed magnetization direction.
L'invention concerne une dispositif de mémoire qui comprend un réseau à points de croisement de cellules MRAM de transfert de couple de spin. Les premières structures de rail s'étendent latéralement le long d'une première direction horizontale. Chacune des premières structures de rail comprend un empilement vertical comprenant, de bas en haut, une première ligne électriquement conductrice, une couche de référence ayant une direction de magnétisation fixe, et une couche barrière de tunnel. Des secondes structures de rail s'étendent latéralement le long d'une seconde direction horizontale. Chacune des secondes structures de rail comprend une seconde ligne électriquement conductrice qui recouvre les premières structures de rail. Un réseau bidimensionnel de structures de pilier est situé entre une structure respective parmi les premières structures de rail et une structure respective parmi les secondes structures de rail. Chacune des structures de pilier comprend une couche libre ayant des orientations de magnétisation énergétiquement stables qui sont parallèles ou antiparallèles à la direction de magnétisation fixe.
CROSS-POINT SPIN-TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE MEMORY ARRAY AND METHOD OF MAKING THE SAME
RÉSEAU DE MÉMOIRE MAGNÉTORÉSISTIF DE COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN À POINTS DE CROISEMENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
WAN LEI (author) / KATINE JORDAN (author) / WU TSAI-WEI (author)
2021-05-06
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10N
Materials for spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory
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Macroscopic description of spin transfer torque
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Magnetoresistive memory in ferromagnetic (Ga, Mn)As nanostructures
| British Library Online Contents | 2008