A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SINGLE CRYSTAL YIG NANOFILM FABRICATED BY A METAL ORGANIC DEPOSITION EPITAXIAL GROWTH PROCESS
A MOD YIG epitaxial process for fabricating YIG nanofilms which, when deposited on GGG substrates, have single crystal epitaxial properties. The films may have thicknesses of 50 nm for a single layer, 100 nm for two layers, andl30 nm for three layers, and have a gyromagnetic ratio of 2.80 MHz per Oe, Gilbert damping ranges from.0003 to.001, 4πΜ$ values between 1650 Gto 1780 G, coercivity from 1 Oe. to 5 Oe, and surface roughness of RMS 0.20 nm for up to 10 layers. Fabrication is economical and uses only a spinner, a drying station (RT to 150 C temperature control), and a quartz tube furnace that accommodates a flowing atmosphere of research grade oxygen, thereby eliminating the need for high vacuum deposition chambers.
La présente invention concerne un procédé épitaxial MOD YIG pour fabriquer des nanofilms YIG qui, lorsqu'ils sont déposés sur des substrats GGG, présentent des propriétés épitaxiales monocristallines. Les films peuvent comporter des épaisseurs de 50 nm pour une couche unique, 100 nm pour deux couches, et 130 nm pour trois couches, et présentent un rapport gyromagnétique de 2,80 MHz par Oe, des plages d'amortissement de Gilbert à partir de 0,0003 à 0,001, des valeurs 4πΜ$ comprises entre 1650 G et 1780 G, une force coercitive de 1 Oe à 5 Oe et une rugosité de surface RMS de 0,20 nm jusqu'à 10 couches. La fabrication est économique et utilise uniquement une centrifugeuse, une station de séchage (mise en température: de la TA à 150 °C), et un four à tube de quartz qui accueille une atmosphère d'écoulement d'oxygène de grade pour la recherche, ce qui permet d'éliminer la nécessité de chambres de dépôt sous vide poussé.
SINGLE CRYSTAL YIG NANOFILM FABRICATED BY A METAL ORGANIC DEPOSITION EPITAXIAL GROWTH PROCESS
A MOD YIG epitaxial process for fabricating YIG nanofilms which, when deposited on GGG substrates, have single crystal epitaxial properties. The films may have thicknesses of 50 nm for a single layer, 100 nm for two layers, andl30 nm for three layers, and have a gyromagnetic ratio of 2.80 MHz per Oe, Gilbert damping ranges from.0003 to.001, 4πΜ$ values between 1650 Gto 1780 G, coercivity from 1 Oe. to 5 Oe, and surface roughness of RMS 0.20 nm for up to 10 layers. Fabrication is economical and uses only a spinner, a drying station (RT to 150 C temperature control), and a quartz tube furnace that accommodates a flowing atmosphere of research grade oxygen, thereby eliminating the need for high vacuum deposition chambers.
La présente invention concerne un procédé épitaxial MOD YIG pour fabriquer des nanofilms YIG qui, lorsqu'ils sont déposés sur des substrats GGG, présentent des propriétés épitaxiales monocristallines. Les films peuvent comporter des épaisseurs de 50 nm pour une couche unique, 100 nm pour deux couches, et 130 nm pour trois couches, et présentent un rapport gyromagnétique de 2,80 MHz par Oe, des plages d'amortissement de Gilbert à partir de 0,0003 à 0,001, des valeurs 4πΜ$ comprises entre 1650 G et 1780 G, une force coercitive de 1 Oe à 5 Oe et une rugosité de surface RMS de 0,20 nm jusqu'à 10 couches. La fabrication est économique et utilise uniquement une centrifugeuse, une station de séchage (mise en température: de la TA à 150 °C), et un four à tube de quartz qui accueille une atmosphère d'écoulement d'oxygène de grade pour la recherche, ce qui permet d'éliminer la nécessité de chambres de dépôt sous vide poussé.
SINGLE CRYSTAL YIG NANOFILM FABRICATED BY A METAL ORGANIC DEPOSITION EPITAXIAL GROWTH PROCESS
NANOFILM YIG MONOCRISTALLIN FABRIQUÉ PAR UN PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE DE DÉPÔT ORGANOMÉTALLIQUE
SWEET ALLEN (author) / WANG SZU-FAN (author) / CHORAZEWICZ KAI (author)
2022-03-10
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
C04B
Kalk
,
LIME
/
C30B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH
,
Züchten von Einkristallen
/
H01P
WAVEGUIDES
,
Wellenleiter [Hohlleiter]
/
H03B
Erzeugung von Schwingungen, unmittelbar oder durch Frequenzwandlung, durch Schaltungsanordnungen mit aktiven Bauelementen, die nicht als Schalter arbeiten
,
GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER
/
H10N
| British Library Online Contents | 2005
High-Performance NiCo2O4 Nanofilm Photodetectors Fabricated by an Interfacial Self-Assembly Strategy
| British Library Online Contents | 2011
Epitaxial Growth of LSMO Film Prepared by Excimer Laser-Assisted Metal Organic Deposition (ELAMOD)
| British Library Online Contents | 2009
Epitaxial growth of polyimide on single-crystal surfaces
| British Library Online Contents | 1992
Organic Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor (OMESFET) Fabricated on a Rubrene Single Crystal
| British Library Online Contents | 2010