A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A joined body according to an embodiment is provided with a ceramic substrate, a copper plate and a joint layer. The joint layer is arranged on at least one surface of the ceramic substrate and joins the ceramic substrate and the copper plate to each other. The joint layer contains Ag and Ti. The copper plate includes a first region, a second region and a third region. The first region is separated apart from the joint layer in the thickness direction. The second region is arranged between the joint layer and the first region, and has a higher Ag concentration than that in the first region. The third region is arranged between the joint layer and the second region, and has a lower Ag concentration than that in the second region.
Un corps assemblé selon un mode de réalisation de la présente invention est pourvu d'un substrat en céramique, d'une plaque de cuivre et d'une couche d'assemblage. La couche d'assemblage est disposée sur au moins une surface du substrat en céramique et relie le substrat en céramique et la plaque de cuivre l'un à l'autre. La couche d'assemblage contient de l'Ag et du Ti. La plaque de cuivre comprend une première région, une deuxième région et une troisième région. La première région est séparée de la couche d'assemblage dans la direction de l'épaisseur. La deuxième région est disposée entre la couche d'assemblage et la première région, et a une concentration en Ag supérieure à celle de la première région. La troisième région est disposée entre la couche d'assemblage et la deuxième région, et a une concentration en Ag inférieure à celle de la deuxième région.
実施形態にかかる接合体は、セラミックス基板と、銅板と、接合層と、を備える。前記接合層は、前記セラミックス基板の少なくとも一方の面に配置され、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する。前記接合層は、ＡｇおよびＴｉを含有する。前記銅板は、第一領域、第二領域、および第三領域を含む。前記第一領域は、厚さ方向において前記接合層から離れている。前記第二領域は、前記接合層と前記第一領域との間に設けられ、前記第一領域よりも高いＡｇ濃度を有する。前記第三領域は、前記接合層と前記第二領域との間に設けられ、前記第二領域よりも低いＡｇ濃度を有する。
JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
A joined body according to an embodiment is provided with a ceramic substrate, a copper plate and a joint layer. The joint layer is arranged on at least one surface of the ceramic substrate and joins the ceramic substrate and the copper plate to each other. The joint layer contains Ag and Ti. The copper plate includes a first region, a second region and a third region. The first region is separated apart from the joint layer in the thickness direction. The second region is arranged between the joint layer and the first region, and has a higher Ag concentration than that in the first region. The third region is arranged between the joint layer and the second region, and has a lower Ag concentration than that in the second region.
Un corps assemblé selon un mode de réalisation de la présente invention est pourvu d'un substrat en céramique, d'une plaque de cuivre et d'une couche d'assemblage. La couche d'assemblage est disposée sur au moins une surface du substrat en céramique et relie le substrat en céramique et la plaque de cuivre l'un à l'autre. La couche d'assemblage contient de l'Ag et du Ti. La plaque de cuivre comprend une première région, une deuxième région et une troisième région. La première région est séparée de la couche d'assemblage dans la direction de l'épaisseur. La deuxième région est disposée entre la couche d'assemblage et la première région, et a une concentration en Ag supérieure à celle de la première région. La troisième région est disposée entre la couche d'assemblage et la deuxième région, et a une concentration en Ag inférieure à celle de la deuxième région.
実施形態にかかる接合体は、セラミックス基板と、銅板と、接合層と、を備える。前記接合層は、前記セラミックス基板の少なくとも一方の面に配置され、前記セラミックス基板と前記銅板とを接合する。前記接合層は、ＡｇおよびＴｉを含有する。前記銅板は、第一領域、第二領域、および第三領域を含む。前記第一領域は、厚さ方向において前記接合層から離れている。前記第二領域は、前記接合層と前記第一領域との間に設けられ、前記第一領域よりも高いＡｇ濃度を有する。前記第三領域は、前記接合層と前記第二領域との間に設けられ、前記第二領域よりも低いＡｇ濃度を有する。
JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
CORPS ASSEMBLÉ, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ CUIVRE-CÉRAMIQUE ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
接合体、セラミックス銅回路基板、および半導体装置
YONETSU MAKI (author) / SUENAGA SEIICHI (author) / FUJISAWA SACHIKO (author) / SANO TAKASHI (author)
2022-04-28
Patent
Electronic Resource
Japanese
JOINED BODY, CERAMIC-COPPER CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| European Patent Office | 2024
JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| European Patent Office | 2021
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2020
JOINED BODY, CERAMIC COPPER CIRCUIT SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
| European Patent Office | 2024