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SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
This silicon carbide-based ceramic honeycomb structure has a plurality of flow paths penetrating same in an axial direction and separated by partition walls of a silicon carbide-based porous body, and is characterized in that the partition walls have a porosity of 35-50% and a median pore diameter of 8-18 μm, and, in a cross-section of the partition walls perpendicular to the axial direction, when a straight line C passing through the center in a thickness T direction of the partition walls and being parallel to surfaces of the partition walls is drawn, and straight lines that are parallel to the straight line C and that are formed at positions separated from the straight line C by a distance of ±T/5 and ±2T/5 in the thickness direction of the partition walls are drawn, and lengths (pore widths) of pore portions intersected by the straight lines and the number of pores are measured across a predetermined length, an average pore width W that is an average value of the pore widths of all pores measured is 10-25 μm, and the number N of pores per unit length, which is a value obtained by dividing the total number of measured pores by the full length of the straight lines is 20-40 pores/mm.
Cette structure céramique en nid d'abeilles à base de carbure de silicium a une pluralité de chemins d'écoulement pénétrant dans celle-ci dans une direction axiale et séparés par des parois de séparation d'un corps poreux à base de carbure de silicium, et est caractérisé en ce que les parois de séparation ont une porosité de 35 à 50 % et un diamètre de pore moyen de 8 à 18 µm, et, dans une section transversale des parois de séparation perpendiculairement à la direction axiale, lorsqu'une ligne droite C passant à travers le centre dans une direction d'épaisseur T des parois de séparation et étant parallèle à des surfaces des parois de séparation est étirée, et des lignes droites qui sont parallèles à la ligne droite C et qui sont formées à des positions séparées de la ligne droite C d'une distance de ±T/5 et ±2T/5 dans la direction de l'épaisseur des parois de séparation sont tirées, et des longueurs (largeurs de pores) de parties de pores intersectées par les lignes droites et le nombre de pores sont mesurés sur une longueur prédéterminée, une largeur de pore moyenne W qui est une valeur moyenne des largeurs de pore de tous les pores mesurés est de 10 à 25 µm, et le nombre N de pores par unité de longueur, qui est une valeur obtenue par division du nombre total de pores mesurés par la longueur totale des lignes droites, est de 20 à 40 pores/mm.
炭化珪素質多孔質体の隔壁により仕切られた軸方向に貫通する複数の流路を有する炭化珪素質セラミックハニカム構造体であって、前記隔壁の気孔率が35~50%、メジアン細孔径が8~18μmであり、前記軸方向に直交する前記隔壁の断面において、前記隔壁の厚さT方向の中心を通り前記隔壁の表面に平行な直線C、並びに前記直線Cから前記隔壁の厚さ方向に±T/5及び±2T/5離れた位置に引いた直線Cに平行な直線を引き、各直線が横切る気孔部分の長さ(気孔幅)及び気孔の数を所定の長さについて測定したとき、測定した全ての気孔の気孔幅の平均値である平均気孔幅Wが10~25μm、及び測定した気孔の総数を測定した各直線の全長さで割った値である単位長さ当たりの気孔数Nが20~40個/mmであることを特徴とする炭化珪素質セラミックハニカム構造体。
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
This silicon carbide-based ceramic honeycomb structure has a plurality of flow paths penetrating same in an axial direction and separated by partition walls of a silicon carbide-based porous body, and is characterized in that the partition walls have a porosity of 35-50% and a median pore diameter of 8-18 μm, and, in a cross-section of the partition walls perpendicular to the axial direction, when a straight line C passing through the center in a thickness T direction of the partition walls and being parallel to surfaces of the partition walls is drawn, and straight lines that are parallel to the straight line C and that are formed at positions separated from the straight line C by a distance of ±T/5 and ±2T/5 in the thickness direction of the partition walls are drawn, and lengths (pore widths) of pore portions intersected by the straight lines and the number of pores are measured across a predetermined length, an average pore width W that is an average value of the pore widths of all pores measured is 10-25 μm, and the number N of pores per unit length, which is a value obtained by dividing the total number of measured pores by the full length of the straight lines is 20-40 pores/mm.
Cette structure céramique en nid d'abeilles à base de carbure de silicium a une pluralité de chemins d'écoulement pénétrant dans celle-ci dans une direction axiale et séparés par des parois de séparation d'un corps poreux à base de carbure de silicium, et est caractérisé en ce que les parois de séparation ont une porosité de 35 à 50 % et un diamètre de pore moyen de 8 à 18 µm, et, dans une section transversale des parois de séparation perpendiculairement à la direction axiale, lorsqu'une ligne droite C passant à travers le centre dans une direction d'épaisseur T des parois de séparation et étant parallèle à des surfaces des parois de séparation est étirée, et des lignes droites qui sont parallèles à la ligne droite C et qui sont formées à des positions séparées de la ligne droite C d'une distance de ±T/5 et ±2T/5 dans la direction de l'épaisseur des parois de séparation sont tirées, et des longueurs (largeurs de pores) de parties de pores intersectées par les lignes droites et le nombre de pores sont mesurés sur une longueur prédéterminée, une largeur de pore moyenne W qui est une valeur moyenne des largeurs de pore de tous les pores mesurés est de 10 à 25 µm, et le nombre N de pores par unité de longueur, qui est une valeur obtenue par division du nombre total de pores mesurés par la longueur totale des lignes droites, est de 20 à 40 pores/mm.
炭化珪素質多孔質体の隔壁により仕切られた軸方向に貫通する複数の流路を有する炭化珪素質セラミックハニカム構造体であって、前記隔壁の気孔率が35~50%、メジアン細孔径が8~18μmであり、前記軸方向に直交する前記隔壁の断面において、前記隔壁の厚さT方向の中心を通り前記隔壁の表面に平行な直線C、並びに前記直線Cから前記隔壁の厚さ方向に±T/5及び±2T/5離れた位置に引いた直線Cに平行な直線を引き、各直線が横切る気孔部分の長さ(気孔幅)及び気孔の数を所定の長さについて測定したとき、測定した全ての気孔の気孔幅の平均値である平均気孔幅Wが10~25μm、及び測定した気孔の総数を測定した各直線の全長さで割った値である単位長さ当たりの気孔数Nが20~40個/mmであることを特徴とする炭化珪素質セラミックハニカム構造体。
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
STRUCTURE CÉRAMIQUE EN NID D'ABEILLES À BASE DE CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
炭化珪素質セラミックハニカム構造体及びその製造方法
SHIMIZU KENICHIRO (author)
2022-09-29
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC:
B01D
SEPARATION
,
Trennen
/
B01J
Chemische oder physikalische Verfahren, z.B. Katalyse oder Kolloidchemie
,
CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
F01N
GAS-FLOW SILENCERS OR EXHAUST APPARATUS FOR MACHINES OR ENGINES IN GENERAL
,
Schalldämpfer oder Auspuffvorrichtungen für Gase von Kraft- und Arbeitsmaschinen oder von Kraftmaschinen allgemein
SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
European Patent Office | 2022
|SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
European Patent Office | 2024
|SILICON CARBIDE-BASED CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
European Patent Office | 2024
|Silicon carbide ceramic honeycomb structure and its production method
European Patent Office | 2024
|SILICON CARBIDE CERAMIC HONEYCOMB STRUCTURE AND ITS PRODUCTION METHOD
European Patent Office | 2023
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