A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a stack structure having interleaved conductive layers and dielectric layers, and a channel structure extending through the stack structure along a first direction. The channel structure is in contact with a source of the 3D memory device at a bottom portion of the channel structure. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The memory film includes a tunneling layer over the semiconductor channel, a storage layer over the tunneling layer, and a blocking layer over the storage layer. A first thickness of the bottom portion of the channel structure is larger than a second thickness of a top portion of the channel structure.
La présente invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnelle (3D) qui comprend une structure d'empilement ayant des couches conductrices et des couches diélectriques entrelacées, et une structure de canal s'étendant à travers la structure d'empilement le long d'une première direction. La structure de canal est en contact avec une source du dispositif de mémoire 3D au niveau d'une partie inférieure de la structure de canal. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire sur le canal semi-conducteur. Le film de mémoire comprend une couche à effet tunnel sur le canal semi-conducteur, une couche de stockage sur la couche à effet tunnel, et une couche de blocage sur la couche de stockage. Une première épaisseur de la partie inférieure de la structure de canal est supérieure à une seconde épaisseur d'une partie supérieure de la structure de canal.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
A three-dimensional (3D) memory device includes a stack structure having interleaved conductive layers and dielectric layers, and a channel structure extending through the stack structure along a first direction. The channel structure is in contact with a source of the 3D memory device at a bottom portion of the channel structure. The channel structure includes a semiconductor channel, and a memory film over the semiconductor channel. The memory film includes a tunneling layer over the semiconductor channel, a storage layer over the tunneling layer, and a blocking layer over the storage layer. A first thickness of the bottom portion of the channel structure is larger than a second thickness of a top portion of the channel structure.
La présente invention concerne un dispositif de mémoire tridimensionnelle (3D) qui comprend une structure d'empilement ayant des couches conductrices et des couches diélectriques entrelacées, et une structure de canal s'étendant à travers la structure d'empilement le long d'une première direction. La structure de canal est en contact avec une source du dispositif de mémoire 3D au niveau d'une partie inférieure de la structure de canal. La structure de canal comprend un canal semi-conducteur, et un film de mémoire sur le canal semi-conducteur. Le film de mémoire comprend une couche à effet tunnel sur le canal semi-conducteur, une couche de stockage sur la couche à effet tunnel, et une couche de blocage sur la couche de stockage. Une première épaisseur de la partie inférieure de la structure de canal est supérieure à une seconde épaisseur d'une partie supérieure de la structure de canal.
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
DISPOSITIFS DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE ET LEURS PROCÉDÉS DE FORMATION
WU LINCHUN (author) / ZHANG KUN (author) / ZHOU WENXI (author) / XIA ZHILIANG (author) / XIE WEI (author) / WANG DI (author) / WANG BINGGUO (author) / HUO ZONGLIANG (author)
2023-03-02
Patent
Electronic Resource
English
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2023
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES, SYSTEMS, AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2024
MULTI-DECK THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES AND METHODS FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2020