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FLAT PLATE-SHAPED POROUS CARBON MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING FLAT PLATE-SHAPED POROUS CARBON MATERIAL, AND PRECURSOR
The flat plate-shaped porous carbon material comprises a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and satisfies all of conditions (1) to (5). (1): Pores having a pore diameter of 2 nm to 50 nm are provided in the vicinity of the surface at the first main surface and/or the second main surface, and, in a cross-sectional view in the thickness direction, the pores are present in the range to 20 µm in the thickness direction from the surface of the main surface on the side where the pores are provided. (2): A diffraction peak (G) originating with the (002) graphite crystal plane is present as a diffraction peak obtained by wide-angle X-ray diffraction measurement. (3): A diffraction peak (S) originating with the silicon carbide crystal is present as a diffraction peak obtained by wide-angle X-ray diffraction measurement. (4): The BET specific surface area is 5 m2/g to 50 m2/g. (5): The BJH pore diameter distribution has a peak in the range of 2 nm to 50 nm.
Le matériau de carbone poreux en forme de plaque plane de l'invention comprend une première surface principale et une seconde surface principale opposée à la première surface principale et satisfait aux conditions (1) à (5). (1) : des pores ayant un diamètre de pore de 2 nm à 50 nm sont réalisés au voisinage de la surface au niveau de la première surface principale et/ou de la seconde surface principale et, en vue en coupe dans le sens de l'épaisseur, les pores sont présents dans la plage allant jusqu'à 20 µm dans le sens de l'épaisseur à partir de la surface de la surface principale, sur la face sur laquelle sont réalisés les pores. (2) : Un pic de diffraction (G) provenant du plan du cristal de graphite (002) est présent en tant que pic de diffraction, obtenu par une mesure de diffraction aux rayons X à grand angle. (3) : Un pic de diffraction (S) provenant du cristal de carbure de silicium est présent en tant que pic de diffraction, obtenu par une mesure de diffraction aux rayons X à grand angle. (4) : L'aire spécifique BET est de 5 m2/g à 50 m2/g. (5) : La distribution des diamètres des pores BJH présente un pic dans la plage de 2 nm à 50 nm.
第一主面、及び前記第一主面とは反対側の第二主面を備え、下記条件(1)から下記条件(5)の全てを満たす、平板状多孔質炭素材料。(1):前記第一主面、及び前記第二主面の少なくとも一方の主面の表面近傍に、孔径が2nm~50nmの空孔を備え、厚さ方向の断面視において、前記空孔が、前記空孔を備える側の主面の表面から厚さ方向に20μmまでの範囲に存在する。(2):広角X線回折測定により得られる回折ピークとして、黒鉛結晶の(002)面に由来する回折ピーク(G)が存在する。(3):広角X線回折測定により得られる回折ピークとして、炭化ケイ素結晶に由来する回折ピーク(S)が存在する。(4):BET比表面積が、5m2/g~50m2/gである。(5):BJH空孔径分布が、2nm~50nmの範囲にピークを持つ。
FLAT PLATE-SHAPED POROUS CARBON MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING FLAT PLATE-SHAPED POROUS CARBON MATERIAL, AND PRECURSOR
The flat plate-shaped porous carbon material comprises a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and satisfies all of conditions (1) to (5). (1): Pores having a pore diameter of 2 nm to 50 nm are provided in the vicinity of the surface at the first main surface and/or the second main surface, and, in a cross-sectional view in the thickness direction, the pores are present in the range to 20 µm in the thickness direction from the surface of the main surface on the side where the pores are provided. (2): A diffraction peak (G) originating with the (002) graphite crystal plane is present as a diffraction peak obtained by wide-angle X-ray diffraction measurement. (3): A diffraction peak (S) originating with the silicon carbide crystal is present as a diffraction peak obtained by wide-angle X-ray diffraction measurement. (4): The BET specific surface area is 5 m2/g to 50 m2/g. (5): The BJH pore diameter distribution has a peak in the range of 2 nm to 50 nm.
Le matériau de carbone poreux en forme de plaque plane de l'invention comprend une première surface principale et une seconde surface principale opposée à la première surface principale et satisfait aux conditions (1) à (5). (1) : des pores ayant un diamètre de pore de 2 nm à 50 nm sont réalisés au voisinage de la surface au niveau de la première surface principale et/ou de la seconde surface principale et, en vue en coupe dans le sens de l'épaisseur, les pores sont présents dans la plage allant jusqu'à 20 µm dans le sens de l'épaisseur à partir de la surface de la surface principale, sur la face sur laquelle sont réalisés les pores. (2) : Un pic de diffraction (G) provenant du plan du cristal de graphite (002) est présent en tant que pic de diffraction, obtenu par une mesure de diffraction aux rayons X à grand angle. (3) : Un pic de diffraction (S) provenant du cristal de carbure de silicium est présent en tant que pic de diffraction, obtenu par une mesure de diffraction aux rayons X à grand angle. (4) : L'aire spécifique BET est de 5 m2/g à 50 m2/g. (5) : La distribution des diamètres des pores BJH présente un pic dans la plage de 2 nm à 50 nm.
第一主面、及び前記第一主面とは反対側の第二主面を備え、下記条件(1)から下記条件(5)の全てを満たす、平板状多孔質炭素材料。(1):前記第一主面、及び前記第二主面の少なくとも一方の主面の表面近傍に、孔径が2nm~50nmの空孔を備え、厚さ方向の断面視において、前記空孔が、前記空孔を備える側の主面の表面から厚さ方向に20μmまでの範囲に存在する。(2):広角X線回折測定により得られる回折ピークとして、黒鉛結晶の(002)面に由来する回折ピーク(G)が存在する。(3):広角X線回折測定により得られる回折ピークとして、炭化ケイ素結晶に由来する回折ピーク(S)が存在する。(4):BET比表面積が、5m2/g~50m2/gである。(5):BJH空孔径分布が、2nm~50nmの範囲にピークを持つ。
FLAT PLATE-SHAPED POROUS CARBON MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING FLAT PLATE-SHAPED POROUS CARBON MATERIAL, AND PRECURSOR
MATÉRIAU DE CARBONE POREUX EN FORME DE PLAQUE PLANE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MATÉRIAU DE CARBONE POREUX EN FORME DE PLAQUE PLANE ET PRÉCURSEUR
平板状多孔質炭素材料、平板状多孔質炭素材料の製造方法、及び前駆体
ICHIKAWA ISAO (author)
2023-10-05
Patent
Electronic Resource
Japanese
European Patent Office | 2019
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