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SILICON CARBIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
[Problem] To provide a silicon carbide powder in which both Si-based impurities and free carbon are significantly reduced. [Solution] Provided is a method for producing a silicon carbide powder by mixing a metal silicon powder and a carbon powder and performing self-propagating high-temperature synthesis, said method for producing a silicon carbide powder being characterized by including: a mixing step in which the metal silicon powder and the carbon powder are mixed to obtain a source material for silicon carbide production; and a production step in which the metal silicon powder and the carbon powder that have been mixed are made to undergo self-propagating high-temperature synthesis in an inert gas atmosphere to obtain a silicon carbide powder, wherein the bulk density of the metal silicon powder and the carbon powder after mixing in the mixing step is at least two times the bulk density of the metal silicon powder and the carbon powder before the mixing step.
La présente invention concerne une poudre de carbure de silicium dans laquelle à la fois les impuretés à base de Si et le carbone libre sont considérablement réduits. L'invention concerne un procédé de production d'une poudre de carbure de silicium qui consiste à mélanger une poudre de silicium métallique et une poudre de carbone et à mettre en oeuvre une synthèse à haute température à auto-propagation, ledit procédé de production d'une poudre de carbure de silicium étant caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de mélange, dans laquelle la poudre de silicium métallique et la poudre de carbone sont mélangées pour obtenir un matériau source destiné à la production de carbure de silicium ; et une étape de production, dans laquelle la poudre de silicium métallique et la poudre de carbone ayant été mélangées sont amenées à subir une synthèse à haute température à auto-propagation dans une atmosphère de gaz inerte afin d'obtenir une poudre de carbure de silicium, la masse volumique apparente de la poudre de silicium métallique et de la poudre de carbone après mélange à l'étape de mélange étant d'au moins le double de celle de la poudre de silicium métallique et de la poudre de carbone avant l'étape de mélange.
【課題】 ケイ素系不純物と遊離炭素の双方を高度に低減させた炭化ケイ素粉末を提供すること。 【解決手段】 金属ケイ素粉末と炭素粉末とを混合し、自己伝播型高温合成により炭化ケイ素粉末を製造する方法であって、金属ケイ素粉末と炭素粉末を混合して炭化ケイ素製造用原料を得る混合工程、混合後の前記金属ケイ素粉末及び炭素粉末とを、不活性ガス雰囲気下、自己伝播型高温合成によって炭化ケイ素粉末を得る製造工程、とを含み、前記混合工程における混合後の前記金属ケイ素粉末及び炭素粉末の嵩密度を、混合工程前の金属ケイ素粉末及び炭素粉末の嵩密度の２倍以上とすることを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
SILICON CARBIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
[Problem] To provide a silicon carbide powder in which both Si-based impurities and free carbon are significantly reduced. [Solution] Provided is a method for producing a silicon carbide powder by mixing a metal silicon powder and a carbon powder and performing self-propagating high-temperature synthesis, said method for producing a silicon carbide powder being characterized by including: a mixing step in which the metal silicon powder and the carbon powder are mixed to obtain a source material for silicon carbide production; and a production step in which the metal silicon powder and the carbon powder that have been mixed are made to undergo self-propagating high-temperature synthesis in an inert gas atmosphere to obtain a silicon carbide powder, wherein the bulk density of the metal silicon powder and the carbon powder after mixing in the mixing step is at least two times the bulk density of the metal silicon powder and the carbon powder before the mixing step.
La présente invention concerne une poudre de carbure de silicium dans laquelle à la fois les impuretés à base de Si et le carbone libre sont considérablement réduits. L'invention concerne un procédé de production d'une poudre de carbure de silicium qui consiste à mélanger une poudre de silicium métallique et une poudre de carbone et à mettre en oeuvre une synthèse à haute température à auto-propagation, ledit procédé de production d'une poudre de carbure de silicium étant caractérisé en ce qu'il comprend : une étape de mélange, dans laquelle la poudre de silicium métallique et la poudre de carbone sont mélangées pour obtenir un matériau source destiné à la production de carbure de silicium ; et une étape de production, dans laquelle la poudre de silicium métallique et la poudre de carbone ayant été mélangées sont amenées à subir une synthèse à haute température à auto-propagation dans une atmosphère de gaz inerte afin d'obtenir une poudre de carbure de silicium, la masse volumique apparente de la poudre de silicium métallique et de la poudre de carbone après mélange à l'étape de mélange étant d'au moins le double de celle de la poudre de silicium métallique et de la poudre de carbone avant l'étape de mélange.
【課題】 ケイ素系不純物と遊離炭素の双方を高度に低減させた炭化ケイ素粉末を提供すること。 【解決手段】 金属ケイ素粉末と炭素粉末とを混合し、自己伝播型高温合成により炭化ケイ素粉末を製造する方法であって、金属ケイ素粉末と炭素粉末を混合して炭化ケイ素製造用原料を得る混合工程、混合後の前記金属ケイ素粉末及び炭素粉末とを、不活性ガス雰囲気下、自己伝播型高温合成によって炭化ケイ素粉末を得る製造工程、とを含み、前記混合工程における混合後の前記金属ケイ素粉末及び炭素粉末の嵩密度を、混合工程前の金属ケイ素粉末及び炭素粉末の嵩密度の２倍以上とすることを特徴とする炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
SILICON CARBIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING SAME
POUDRE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLE-CI
炭化ケイ素粉末及びその製造方法
FURUYA HIROSHI (author) / MATSUO KENTARO (author)
2024-06-13
Patent
Electronic Resource
Japanese
SILICON CARBIDE POWDER, COMPOSITION USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE POWDER
| European Patent Office | 2022
SILICON CARBIDE POWDER AND METHOD FOR PRODUCING MOLDED PRODUCT
| European Patent Office | 2023
| European Patent Office | 2023