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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Advances in InGaN technology for light-emitting diodes and semiconductor lasers (invited)

    Beteiligte:

    Rudaz, S. (Autor:in) / Fletcher, R. (Autor:in) / Golecki, I. / Engineering Foundation

    Kongress:

    High-temperature electronic materials, devices and sensors conference ; 1998 ; San Diego; CA

    Erschienen in:

    High-temperature electronic materials, devices and sensors conference ; 123-131

    HIGH TEMPERATURE ELECTRONIC DEVICES AND SENSORS CONFERENCE

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1998

    Format / Umfang:

    9 pages

    Anmerkungen:

    IEEE cat no 98EX132

    ISBN:

    0780347375 , 0780344383

    Medientyp:

    Aufsatz (Konferenz)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Schlagwörter:

    high temperature electronic materials , electronic materials

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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