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    Titel:

    Advantage of InGaN-based light-emitting diodes with trapezoidal electron blocking layer

    Beteiligte:

    Wang, Tian-Hu (Autor:in) / Xu, Jin-Liang (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials science in semiconductor processing ; 29 ; 95-101

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2015

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    1369-8001

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.38152

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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