Chemical beam epitaxy of high purity InP using tertiarybutylphosphine and 1,2 bis-phosphinoethane: Fid-Bau Portal

Chemical beam epitaxy of high purity InP using tertiarybutylphosphine and 1,2 bis-phosphinoethane

Zahzouh, M. / Hincelin, G. / Mellet, R. / Pougnet, A. M.

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Titel:

Chemical beam epitaxy of high purity InP using tertiarybutylphosphine and 1,2 bis-phosphinoethane

Beteiligte:

Zahzouh, M. (Autor:in) / Hincelin, G. (Autor:in) / Mellet, R. (Autor:in) / Pougnet, A. M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 21 ; 165

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

165 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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