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    Titel:

    Improved GaAs/Ga~1~-~xAl~xAs chemical beam epitaxy using triisopropylgallium

    Beteiligte:

    Lane, P. A. (Autor:in) / Martin, T. (Autor:in) / Whitehouse, C. R. (Autor:in) / Freer, R. W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 17 ; 15

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    15 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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