Improvements in the heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE: Fid-Bau Portal

Improvements in the heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE

Marschner, T. / Stolz, W. / Goebel, E. O. / Phillipp, F.

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Titel:

Improvements in the heteroepitaxial growth of GaAs on Si by MOVPE

Beteiligte:

Marschner, T. (Autor:in) / Stolz, W. (Autor:in) / Goebel, E. O. (Autor:in) / Phillipp, F. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 21 ; 266

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

266 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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