MOVPE growth and characterization of heteroepitaxial germanium on silicon using iBuGe as precursor: Fid-Bau Portal

MOVPE growth and characterization of heteroepitaxial germanium on silicon using iBuGe as precursor

Attolini, G. / Ponraj, J. S. / Frigeri, C. / Buffagni, E. / Ferrari, C. / Musayeva, N. / Jabbarov, R. / Bosi, M.

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Titel:

MOVPE growth and characterization of heteroepitaxial germanium on silicon using iBuGe as precursor

Beteiligte:

Attolini, G. (Autor:in) / Ponraj, J. S. (Autor:in) / Frigeri, C. (Autor:in) / Buffagni, E. (Autor:in) / Ferrari, C. (Autor:in) / Musayeva, N. (Autor:in) / Jabbarov, R. (Autor:in) / Bosi, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 360 ; 157-163

Erscheinungsdatum:

01.01.2016

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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