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    Titel:

    Technological aspects of epitaxial CoSi~2 layers for CMOS

    Beteiligte:

    Lauwers, A. (Autor:in) / Schreutelkamp, R. J. (Autor:in) / Brijs, B. (Autor:in) / Bender, H. (Autor:in) / Janssen, G. C. A. M. / Jongste, J. F. / Radelaar, S.

    Erschienen in:

    Proceedings of the Fifth European Workshop on Refractory Metals and Silicides ; 19

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 72

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1993

    Format / Umfang:

    19 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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