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Investigation of -SiAION Formation by High Temperature X-Ray Diffraction

Ashkin, A. / Ashkin, D. / Babushkin, O.

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Titel:

Investigation of -SiAION Formation by High Temperature X-Ray Diffraction

Beteiligte:

Ashkin, A. (Autor:in) / Ashkin, D. (Autor:in) / Babushkin, O. (Autor:in) / Hoffmann, M. J. / Becher, P. F. / Petzow, G.

Erschienen in:

Silicon Nitride 93 ; 373

KEY ENGINEERING MATERIALS

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

373 pages

ISSN:

1013-9826

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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