The Structure Quality of Single-Domain MBE GaAs Layers Grown on Hydrogen Passivated Si (001) Substrates: Fid-Bau Portal

The Structure Quality of Single-Domain MBE GaAs Layers Grown on Hydrogen Passivated Si (001) Substrates

Antipov, V. G. / Kutt, R. N. / Nikishin, S. A. / Ruvimov, S. S.

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Titel:

The Structure Quality of Single-Domain MBE GaAs Layers Grown on Hydrogen Passivated Si (001) Substrates

Beteiligte:

Antipov, V. G. (Autor:in) / Kutt, R. N. (Autor:in) / Nikishin, S. A. (Autor:in) / Ruvimov, S. S. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 1595

Erscheinungsdatum:

01.01.1993

Format / Umfang:

1595 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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