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The Formation of Silicon Carbide Films from Disilane Derivatives

Hengge, E. / Zechmann, A. / Hofer, F. / Poelt, P.

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Titel:

The Formation of Silicon Carbide Films from Disilane Derivatives

Beteiligte:

Hengge, E. (Autor:in) / Zechmann, A. (Autor:in) / Hofer, F. (Autor:in) / Poelt, P. (Autor:in)

Erschienen in:

ADVANCED MATERIALS -DEERFIELD BEACH- ; 6 ; 584

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

584 pages

ISSN:

0935-9648

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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