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    Titel:

    Depth profiling of InAs/InP and In~xGa~1~-~xAs/InAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy

    Beteiligte:

    Bruni, M. R. (Autor:in) / Gambacorti, N. (Autor:in) / Kaciulis, S. (Autor:in) / Mattogno, G. (Autor:in) / Fornari, R.

    Erschienen in:

    2nd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies ; 228

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 28

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1994

    Format / Umfang:

    228 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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