Fully planar AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using chemical beam epitaxy selective growth: Fid-Bau Portal

Fully planar AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using chemical beam epitaxy selective growth

Driad, R. / Duchenois, A. M. / Le Roux, G. / Zerguine, D.

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Titel:

Fully planar AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using chemical beam epitaxy selective growth

Beteiligte:

Driad, R. (Autor:in) / Duchenois, A. M. (Autor:in) / Le Roux, G. (Autor:in) / Zerguine, D. (Autor:in) / Fornani, R.

Erschienen in:

2nd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies ; 261

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 28

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

261 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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