Quantitative investigation of interdiffusion effects in balanced-strain InGaAs(P)/InGaAsP heterostructures: constant x vs. constant y: Fid-Bau Portal

Quantitative investigation of interdiffusion effects in balanced-strain InGaAs(P)/InGaAsP heterostructures: constant x vs. constant y

Camassel, J. / Peyre, H. / Glew, R. W.

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Titel:

Quantitative investigation of interdiffusion effects in balanced-strain InGaAs(P)/InGaAsP heterostructures: constant x vs. constant y

Beteiligte:

Camassel, J. (Autor:in) / Peyre, H. (Autor:in) / Glew, R. W. (Autor:in) / Fornani, R.

Erschienen in:

2nd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies ; 353

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 28

Erscheinungsdatum:

01.01.1994

Format / Umfang:

353 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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