Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation: Fid-Bau Portal

Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation

Ulrych, I. / El-Kader, K. M. A. / Chab, V. / Kocka, J.

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Titel:

Properties of Recrystallized Amorphous Silicon Prepared by XeCl Excimer Laser Irradiation

Beteiligte:

Ulrych, I. (Autor:in) / El-Kader, K. M. A. (Autor:in) / Chab, V. (Autor:in) / Kocka, J. (Autor:in) / Brieger, M. / Dittrich, H. / Klose, M. / Schock, H. W.

Erschienen in:

Applications in Photovoltaics ; 29

MATERIALS SCIENCE FORUM

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

29 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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