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    Titel:

    Development of chemical beam epitaxy for the deposition of gallium nitride

    Beteiligte:

    Kingsley, C. R. (Autor:in) / Whitaker, T. J. (Autor:in) / Wee, A. T. S. (Autor:in) / Jackman, R. B. (Autor:in) / Fricke, K. / Krozer, V.

    Erschienen in:

    High Temperature Electronics: Materials Devices Applications ; 78

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 29

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    78 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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