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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Positron energy levels in narrow gap semiconductors

    Beteiligte:

    Bouarissa, N. (Autor:in) / Aourag, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 34 ; 58

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    58 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Unbekannt

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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