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    Titel:

    Preparation of low density free-standing shape of SiC by pressure-pulsed chemical vapour infiltration

    Beteiligte:

    Sugiyama, K. (Autor:in) / Norizuki, K. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS ; 14 ; 1720-1722

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    3 pages

    ISSN:

    0261-8028

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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