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The study of GaAs/InGaAs -doping resonant interband tunneling diode

Yang, C. C. / Huang, K. C. / Su, Y. K. / Wang, R. L.

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Titel:

The study of GaAs/InGaAs -doping resonant interband tunneling diode

Beteiligte:

Yang, C. C. (Autor:in) / Huang, K. C. (Autor:in) / Su, Y. K. (Autor:in) / Wang, R. L. (Autor:in) / Henini, M. / Szweda, R.

Erschienen in:

Low Dimensional Structures and Devices ; 259-262

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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