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    Titel:

    Formation of AlGaAs quantum wires on vicinal GaAs(110) surfaces misoriented 3 toward (111)A by molecular beam epitaxy

    Beteiligte:

    Nakashima, H. (Autor:in) / Takeuchi, M. (Autor:in) / Sato, K. (Autor:in) / Shiba, K. (Autor:in) / Huang, H. K. (Autor:in) / Maehashi, K. (Autor:in) / Inoue, K. (Autor:in) / Christen, J. (Autor:in) / Grundmann, M. (Autor:in) / Bimberg, D. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Low Dimensional Structures and Devices ; 295-298

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1995

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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