Photoluminescence in degenerate p-type GaAs layers grown by molecular beam epitaxy: Fid-Bau Portal

Photoluminescence in degenerate p-type GaAs layers grown by molecular beam epitaxy

Zhang, D. H. / Radhakrishnan, K. / Yoon, S. F. / Hah, Z. Y.

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Titel:

Photoluminescence in degenerate p-type GaAs layers grown by molecular beam epitaxy

Beteiligte:

Zhang, D. H. (Autor:in) / Radhakrishnan, K. (Autor:in) / Yoon, S. F. (Autor:in) / Hah, Z. Y. (Autor:in) / Henini, M. / Szweda, R.

Erschienen in:

Low Dimensional Structures and Devices ; 449-453

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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