Doping dependence of intersubband transitions in Si~1~-~x Ge~x/Si multiple quantum wells: Fid-Bau Portal

Doping dependence of intersubband transitions in Si~1~-~x Ge~x/Si multiple quantum wells

Karunasiri, G. / Chua, S. J. / Park, J. S. / Wang, K. L.

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Titel:

Doping dependence of intersubband transitions in Si~1~-~x Ge~x/Si multiple quantum wells

Beteiligte:

Karunasiri, G. (Autor:in) / Chua, S. J. (Autor:in) / Park, J. S. (Autor:in) / Wang, K. L. (Autor:in) / Henini, M. / Szweda, R.

Erschienen in:

Low Dimensional Structures and Devices ; 463-466

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 35

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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