Point defect reactions in silicon studied in situ by high flux electron irradiation in high voltage transmission electron microscope: Fid-Bau Portal

Point defect reactions in silicon studied in situ by high flux electron irradiation in high voltage transmission electron microscope

Vanhellemont, J. / Romano-Rodriguez, A. / Fedina, L. / Van Landuyt, J. / Aseev, A.

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Titel:

Point defect reactions in silicon studied in situ by high flux electron irradiation in high voltage transmission electron microscope

Beteiligte:

Vanhellemont, J. (Autor:in) / Romano-Rodriguez, A. (Autor:in) / Fedina, L. (Autor:in) / Van Landuyt, J. (Autor:in) / Aseev, A. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND TECHNOLOGY -LONDON- ; 11 ; 1194-1202

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

9 pages

ISSN:

0267-0836

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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