High Quality GaAs on Si Grown by CBE: Fid-Bau Portal

High Quality GaAs on Si Grown by CBE

Uchida, H. / Adachi, M. / Egawa, T. / Nishikawa, H. / Jimbo, T. / Umeno, M.

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Titel:

High Quality GaAs on Si Grown by CBE

Beteiligte:

Uchida, H. (Autor:in) / Adachi, M. (Autor:in) / Egawa, T. (Autor:in) / Nishikawa, H. (Autor:in) / Jimbo, T. (Autor:in) / Umeno, M. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 535-538

Erscheinungsdatum:

01.01.1995

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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