X-ray photoelectron diffraction investigation of Ge segregation and film morphology during first stage heteroepitaxy of Si on Ge(001): Fid-Bau Portal

X-ray photoelectron diffraction investigation of Ge segregation and film morphology during first stage heteroepitaxy of Si on Ge(001)

Aubel, D. / Kubler, L. / Bischoff, J. L. / Simon, L. / Bolmont, D.

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Titel:

X-ray photoelectron diffraction investigation of Ge segregation and film morphology during first stage heteroepitaxy of Si on Ge(001)

Beteiligte:

Aubel, D. (Autor:in) / Kubler, L. (Autor:in) / Bischoff, J. L. (Autor:in) / Simon, L. (Autor:in) / Bolmont, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 99 ; 169-183

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

15 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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