Structure and Device Characteristics of SrBi~2Ta~2O~9-Based Nonvolatile Random-Access Memories: Fid-Bau Portal

Structure and Device Characteristics of SrBi~2Ta~2O~9-Based Nonvolatile Random-Access Memories

Scott, J. F. / Ross, F. M. / Paz de Araujo, C. A. / Scott, M. C. / Huffman, M.

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Titel:

Structure and Device Characteristics of SrBi~2Ta~2O~9-Based Nonvolatile Random-Access Memories

Beteiligte:

Scott, J. F. (Autor:in) / Ross, F. M. (Autor:in) / Paz de Araujo, C. A. (Autor:in) / Scott, M. C. (Autor:in) / Huffman, M. (Autor:in) / Auciello, O. / Ramesh, R.

Erschienen in:

Electroceramic Thin Films Part II: Device Applications ; 33-39

MRS BULLETIN- MATERIALS RESEARCH SOCIETY ; 21

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0883-7694

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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