Intense photoluminescence observed in modulation doped Si/SiGe quantum well structures: Fid-Bau Portal

Intense photoluminescence observed in modulation doped Si/SiGe quantum well structures

Ni, W.-X. / Buyanova, I. A. / Henry, A. / Chen, W. M. / Joelsson, K. B. / Hansson, G. V. / Monemar, B.

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Titel:

Intense photoluminescence observed in modulation doped Si/SiGe quantum well structures

Beteiligte:

Ni, W.-X. (Autor:in) / Buyanova, I. A. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Chen, W. M. (Autor:in) / Joelsson, K. B. (Autor:in) / Hansson, G. V. (Autor:in) / Monemar, B. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 102 ; 298-302

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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