Intense photoluminescence from strained SiGe sub-100 nm wires selectively grown on Si by LPCVD: Fid-Bau Portal

Intense photoluminescence from strained SiGe sub-100 nm wires selectively grown on Si by LPCVD

Souifi, A. / Vescan, L. / Loo, R. / Gartner, P. / Dieker, C. / Hartmann, A. / Lueth, H.

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Titel:

Intense photoluminescence from strained SiGe sub-100 nm wires selectively grown on Si by LPCVD

Beteiligte:

Souifi, A. ( Autor:in ) / Vescan, L. ( Autor:in ) / Loo, R. ( Autor:in ) / Gartner, P. ( Autor:in ) / Dieker, C. ( Autor:in ) / Hartmann, A. ( Autor:in ) / Lueth, H. ( Autor:in )

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 102 ; 381-384

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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