Quantitative analysis of degradation in Schottky diode characteristics induced by single ion implantation: Fid-Bau Portal

Quantitative analysis of degradation in Schottky diode characteristics induced by single ion implantation

Koyama, M. / Akita, Y. / Cheong, C. / Koh, M. / Matsukawa, T. / Horita, K. / Shigeta, B. / Ohdomari, I.

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Titel:

Quantitative analysis of degradation in Schottky diode characteristics induced by single ion implantation

Beteiligte:

Koyama, M. (Autor:in) / Akita, Y. (Autor:in) / Cheong, C. (Autor:in) / Koh, M. (Autor:in) / Matsukawa, T. (Autor:in) / Horita, K. (Autor:in) / Shigeta, B. (Autor:in) / Ohdomari, I. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 104/105 ; 253-256

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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