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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Influence of physisorbed arsenic on RHEED intensity oscillations during low-temperature GaAs molecular beam epitaxy

    Beteiligte:

    Venkatasubramanian, R. (Autor:in) / Pamula, V. K. (Autor:in) / Dorsey, D. L. (Autor:in)

    Erschienen in:

    APPLIED SURFACE SCIENCE ; 104/105 ; 448-454

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1996

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0169-4332

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  621.35

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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