Temperature dependent EBIC and deep level transient spectroscopy investigation of different types of misfit-dislocations at MOVPE grown GaAs/InGaAs/GaAs-single-quantum wells: Fid-Bau Portal

Temperature dependent EBIC and deep level transient spectroscopy investigation of different types of misfit-dislocations at MOVPE grown GaAs/InGaAs/GaAs-single-quantum wells

Panepinto, L. / Zeimer, U. / Seifert, W. / Seibt, M. / Bugge, F. / Weyers, M. / Schroeter, W.

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Titel:

Temperature dependent EBIC and deep level transient spectroscopy investigation of different types of misfit-dislocations at MOVPE grown GaAs/InGaAs/GaAs-single-quantum wells

Beteiligte:

Panepinto, L. (Autor:in) / Zeimer, U. (Autor:in) / Seifert, W. (Autor:in) / Seibt, M. (Autor:in) / Bugge, F. (Autor:in) / Weyers, M. (Autor:in) / Schroeter, W. (Autor:in) / Balkanski, M. / Kamimura, H. / Mahajan, S.

Erschienen in:

Solid-State Materials for Advanced Technology ; 77-81

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 42

Erscheinungsdatum:

01.01.1996

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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