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    Titel:

    Investigation of deep-level defects in semi-insulating GaAs and InP by analysis of photo-induced current transients

    Beteiligte:

    Kaminski, P. (Autor:in) / Pawlowski, M. (Autor:in) / Cwirko, R. (Autor:in) / Palczewska, M. (Autor:in) / Kozlowski, R. (Autor:in) / Balkanski, M. / Kamimura, H. / Mahajan, S.

    Erschienen in:

    Solid-State Materials for Advanced Technology ; 213-216

    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 42

    Erscheinungsdatum:

    01.01.1996

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0921-5107

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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