Comparative optical characterization of GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy, gas source molecular beam epitaxy and halide vapor phase epitaxy: Fid-Bau Portal

Comparative optical characterization of GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy, gas source molecular beam epitaxy and halide vapor phase epitaxy

Leroux, M. / Beaumont, B. / Grandjean, N. / Golivet, C. / Gibart, P. / Massies, J. / Leymarie, J. / Vasson, A. / Vasson, A. M.

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Leroux, M. / Beaumont, B. / Grandjean, N. / Golivet, C. / Gibart, P. / Massies, J. / Leymarie, J. / Vasson, A. / Vasson, A. M.

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Leroux, M. / Beaumont, B. / Grandjean, N. / Golivet, C. / Gibart, P. / Massies, J. / Leymarie, J. / Vasson, A. / Vasson, A. M.

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Titel:

Comparative optical characterization of GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy, gas source molecular beam epitaxy and halide vapor phase epitaxy

Beteiligte:

Leroux, M. (Autor:in) / Beaumont, B. (Autor:in) / Grandjean, N. (Autor:in) / Golivet, C. (Autor:in) / Gibart, P. (Autor:in) / Massies, J. (Autor:in) / Leymarie, J. (Autor:in) / Vasson, A. (Autor:in) / Vasson, A. M. (Autor:in) / Aulombard, R. L.